芯片高低溫測試設備性能指標保護措施：

1、可靠的接地保護裝置

2、電源欠壓，缺相保護

3、獨立工作室超溫保護

4、保護制冷機超壓、過載、油壓欠壓；

5、加熱器短路，過載保護

6、漏電保護，報警聲訊提及

　　芯片高低溫測試設備規(guī)格型號及技術參數(shù)：

1. 溫度范圍：-20~+150℃/-40~+150℃/-50~+150℃/-60~+150℃/-85~+150℃。

2.控制穩(wěn)定性：±0.5℃

3.均勻分布：±1.5℃

4.正常加熱時間：-+20℃~+150℃小于45分鐘的非線性空載。

5.正常降溫時間：+20~-20℃小于45分鐘/+20~-40℃小于60分鐘/+20~-50℃小于65分鐘.

+20~-60℃小于70分鐘/+20~-70℃小于75分鐘/20~-85℃小于100分鐘.

　　適用于測試:鋰離子、鎳氫、鎳鎘、鉛酸、金屬氫化物鎳等單體電池和電池組，按標準GB897.4-200(idtiEC6086-4：2000)原電池第四部分：鋰電池要求、GB897.5-2006：2005)《原電池第五部分：水溶液電解質電池要求》、IEC62133：2002年《堿性或其他非酸性電解質二次單體電池及電池組便攜式密封二次單體電池及電池組要求》、IEC61951-1：2003年《含堿性或其他非酸性電解質的便攜式密封可再充電電池及電池組第一部分：

　　芯片高低溫測試設備執(zhí)行標準：

1.GB10586-2006濕熱試驗箱技術條件

2.GB10589-2008低溫試驗箱技術條件

3.GB10592-2008芯片高低溫測試設備技術條件

4.GB1158-2006高溫試驗箱技術條件

5.GBA2423.1-2001測試A：低溫試驗方法

6.GBB2423.2-2001試驗B：高溫試驗方法

7.GB(T243.3-1993試驗Caaaa:恒定濕熱試驗

8.GBDB測試/T243.4-1993：交變濕熱試驗方法

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