晶能光電硅基大功率LED藍光芯片創造性地使用硅代替藍寶石或碳化硅作為襯底制造氮化鎵基LED器件，結合了高效GaN外延技術和具有自主知識產權的硅襯底LED芯片技術，是目前全球唯一商品化的硅基大功率產品。具有完整的自主知識產權保護，產品可銷往國際市場，不受國際專利限制，是名符其實的中國芯。
    45mil的硅基LED芯片發光效率超過130lm/W，封裝后藍光功率最高可達615mW，白光光通量最高可達145lm。硅基LED芯片具有垂直結構、正向電壓低、發光呈朗伯分布的特點，可廣泛應用于便攜式照明、LCD背光、戶內照明和戶外照明。目前已經成功應用于路燈、球泡燈、手電筒、礦燈頭燈等室內外中高端照明產品。
    硅基LED芯片具有以下特性：
    1、采用銀反射鏡電極，電流分布更均勻，可用大電流驅動。
    2、硅襯底比藍寶石襯底散熱好。
    3、具有朗伯發光形貌，白光出光均勻，容易二次配光。
    4、打線少，可靠性高。
    5、可采用導電銀膠，焊錫或共晶焊固晶。
    6、硅基LED芯片單面出光，且分布均勻，適合做熒光粉直涂的直接白光芯片，降低封裝成本。
    7、適合于陶瓷基板封裝。
 

        獲獎情況
        1、硅襯底GaN基LED藍綠光芯片項目榮獲“2008中國LED技術創新獎”。
        2、 硅襯底功率型藍光LED芯片榮獲“2009年度中國LED技術創新獎”。
        3、晶能光電榮獲2010年全球清潔技術企業100強。
        4、晶能光電榮獲2011年世界最具創新力企業50強。
        5、晶能光電的硅基大功率LED芯片量產被國際半導體照明聯盟（ISA）評選為2012年全球半導體照明年度事件。
        6、GaN-On-Si LED外延芯片制備技術/硅基大功率藍光芯片榮獲“2012年中國LED創新產品和技術獎”

    晶能光電產品專利所獲專利列表：

        晶能產品檢測報告：

        第三方檢測報告：

        晶能產品用戶證明：