19日，湖南三安半導體項目最大單體M2B芯片廠房完成封頂。標志著湖南三安第三代半導體產業園項目(一期)Ⅰ標段主體工程完工，預計今年6月份有望實現全面投產。

圖片來源：長沙晚報

據悉，該棟廠房占地面積為2.32萬平方米，建筑面積5.23萬平方米，鋼構大屋面面積1.65萬平米。

此前，湖南三安半導體項目（一期）Ⅰ標段已相繼完成M3器件封裝廠房、M4碳化硅長晶廠房和濺鍍廠房位主體結構封頂。

據了解，湖南三安半導體項目總占地面積1000畝，總投資160億元，項目分兩期建設，主要包含具有自主知識產權的襯底(碳化硅)、外延、芯片及封裝產業生產基地的建設。

該項目建成達產后將形成超百億元的產業規模，并帶動上下游配套產業產值預計逾千億元。（來源：長沙晚報、LEDinside整理）RA95燈條RA97燈條全光譜燈條優銘光電分享