近日，日本化工企業旭化成（Asahi Kasei）旗下的高性能LED制造商Crystal IS宣布，公司生產出了首款4英寸氮化鋁（ALN）襯底，展示了公司生長氮化鋁塊狀單晶工藝的可擴展性，以滿足各類應用的生產需求。

Crystal IS

據了解，氮化鋁襯底具有低缺陷密度、高紫外透明度和低雜質濃度的特點，并且由于其超寬帶隙和較高的熱導率，氮化鋁在多個領域都具有較大的應用潛力，例如UVC LED和功率器件等。根據當前UVC LED產品要求，Crystal IS所生產的4英寸氮化鋁襯底的可使用面積超過80％。

旭化成方面表示，本次子公司生產的4英寸氮化鋁襯底，證明了氮化鋁在除UVC LED之外的行業中，也具有商業應用的可行性。

資料顯示，Crystal IS成立于1997年，致力于開發氮化鋁襯底，其技術工藝可用于2英寸直徑襯底中生產UVC LED。這些LED具有260-270nm波長，以及高可靠性和高性能特點，可滿足水消毒、空氣和表面消毒等應用。

Crystal IS表示，4英寸氮化鋁襯底的成功生產，表明了公司氮化鋁襯底工藝可擴展性，并能夠提供高質量的氮化鋁器件。

目前，Crystal IS每年生產數千個2英寸襯底，以滿足其UVC LED產品系列Klaran和Optan的需求。本次4英寸氮化鋁襯底的商業化，將使Crystal IS工廠現有設施的器件產能增加四倍，并將氮化鋁襯底的新應用開發成為可能，氮化鋁襯底將與公司現有使用替代材料的功率和射頻器件的制造線相結合。

據悉，8月13日至18日，Crystal IS將在亞利桑那州圖森舉行的第23屆美國晶體生長與外延會議上展示其4英寸襯底產品最新進展。（文：LEDinside）