8月30日，德國博世集團表示，其已經收購了加州芯片制造商 TSI Semiconductors，此舉旨在美國建立碳化硅芯片制造基地，使電動汽車 (EV) 的行駛時間更長。

針對收購價格博世并未對外透露，在此前的4月份，博世表示其收購TST之后，還將投資15億美元對加州的羅斯維爾工廠進行改造，生產碳化硅芯片。收購完成之后，該廠將與德國的另外兩大晶圓廠一同成為博世的三大半導體制造支柱，并自2026年開始生產SiC晶圓。

博世表示，加州政府已經批準為這家公司提供2500萬美元的稅收減免，而最終是否將工廠擴建到預定規模，主要取決于美國政府以及地方政府的財政補貼。

TSI Semiconductors 成立于1996 年，總部位于加利福尼亞州圣何塞，專門從事模擬、混合信號和射頻 (RF) 集成電路設計和制造，目前主要以8英寸制造為主。

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博世管理委員會主席 Stefan Hartung 博士表示：“通過收購 TSI Semiconductors，我們正在一個重要的銷售市場建立SiC芯片的制造能力，同時也在全球范圍內增加我們的半導體制造。羅斯維爾現有的潔凈室設施和專家人員將使我們能夠更大規模地制造用于電動汽車的SiC芯片。”

除了此次收購TST之外，在本月中旬，博世宣布投資6500萬歐元在馬來西亞開設一個新的芯片和傳感器測試中心，并計劃在未來10年繼續投資2.85億歐元，以支持該中心的持續發展和增長。今年1月，博世又計劃在江蘇蘇州建設一家工廠（博世新能源汽車核心部件及自動駕駛研發制造基地），生產內容包含SiC功率模塊等，主要目的是為當地汽車制造商提供研發、測試和制造汽車零件以及自動駕駛技術。該基地已于3月奠基。

隨著全球新能源汽車產業需求的爆發。博世已經計劃再投資30億歐元用于半導體布局，投資重點放在SoC（系統芯片）和功率半導體的開發上，投資計劃將在2026年之前實施。這筆投資的一部分將用于建設兩個新的芯片研發中心，其中一個位于德國羅伊特林根，另一個位于德累斯頓。博世還計劃擴建工廠，增加潔凈室面積，特別是在德累斯頓。（文：化合物半導體市場 Jump整理）