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Crystal IS獲得500萬美元的風險投資

2004-12-06 作者: 來源:LEDinside 瀏覽量: 網友評論: 0

摘要: 位于美國紐約沃特佛利特(Watervliet)的AlN襯底開發商Crystal IS最近完成第一階段融資,獲得近500萬美元的風險投資。

  2004年9月28日報道:位于美國紐約沃特佛利特(Watervliet)的AlN襯底開發商Crystal IS最近完成第一階段融資,獲得近500萬美元的風險投資。Crystal IS始建于1997年,創始人為RPI的物理學教授Glen Slack和Leo Schowalter。公司位于RPI(Rensselaer綜合技術研究所) luchbator中心。位于奧爾巴尼(紐約州首府)大學的奧爾巴尼NanoTech也為Crystal IS提供戰略輔助,包括咨詢下游半導體材料加工的能力。公司的投資方包括ARCH風險投資公司﹑JVP﹑3i﹑Harris & Harris集團,以及紐約當地投資家Walt Robb。

  這個與PRI(Rensselaer綜合技術研究所)聯合的年輕而又具有創新能力的公司已經在生產超低缺陷密度的本征AlN(氮化鋁)單晶襯底方面取得重大的突破,目前氮化物單晶襯底逐漸在信號燈、軍事、生化、信息技術、無線通信、顯示照明等領域被廣泛應用。公司正在研發紫外LED和激光器﹑壓電傳感器﹑軍用大功率RF晶體管,以及白光照明器件,尤其是DARPA的SUVOS計劃中的深紫外LED。該公司還在研究用于紫外殺菌輻照、生物制劑與化學探測、白光照明及某些軍事應用(例如DARPA的SUVOS計劃的預期應用)的紫外LED及激光器﹑用于無線基站及某些軍事應用的大功率RF晶體管﹑以及下一代表面聲波(SAW)器件。(編輯FJ)

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