美國Cree介紹藍色LED芯片開發狀況
摘要： 美國Cree公司在2007年6月14～15日“日經電子”和“日經微器件”共同舉辦的“LED技術研討會2007”上，介紹了SiC底板上形成的藍色LED的開發狀況。
美國Cree公司在2007年6月14～15日“日經電子”和“日經微器件”共同舉辦的“LED技術研討會2007”上，介紹了SiC底板上形成的藍色LED的開發狀況。
關于藍色LED的光輸出功率，Cree預測表示，輸入電流為20mA的產品方面，最大的光輸出功率07年7月將達36mW、08年7月將達40mW、09年7月將提高到44mW。輸入電流為350mA的產品方面，最大光輸出效率07年1月為340mW，預計08年1月將達420mW、09年1月將為400mW(以上?)、09年10月將達到550mW，一路提高下去。與熒光材料組合而成的白色LED方面，目前量產產品的發光效率為80lm/W，開發產品則達到了120lm/W。09年量產產品將實現發光效率120lm/W。
Cree公司展示了開發中的藍色LED芯片的結構。它在SiC底板上使GaN發生外延生長(Epitaxial Growth)。芯片結構為，不采用下部電極而從表面實現正負極連接的2線焊(Wire Bonding)連接倒裝芯片(Flip Chip)結構。由于沒有下部電極，所以發光層發出的光在GaN層內不再發生反復反射，與此前的芯片結構相比，將光取出芯片外的效率(光取出效率)將會提高。(編輯：PCL)
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