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東貝、鴻達(dá)看好光電紅光LED技術(shù),積極增資

2007-09-22 作者: 來源: 瀏覽量: 網(wǎng)友評(píng)論: 0

摘要: 東貝光電(2499)、宏達(dá)電旗下的鴻達(dá)國(guó)際投資將參與全新光電(2455)4.832億元的現(xiàn)金增資,進(jìn)行太陽(yáng)能電池磊芯片的研發(fā)與量產(chǎn)。

  近日獲悉,東貝光電(2499)、宏達(dá)電旗下的鴻達(dá)國(guó)際投資將參與全新光電(2455)4.832億元的現(xiàn)金增資,進(jìn)行太陽(yáng)能電池磊芯片的研發(fā)與量產(chǎn)。

  兩家積極參與增資的原因主要有兩方面。其一,看好全新光電在紅光LED方面的技術(shù)。其二,全新光電近期有望提高砷化鎵的太陽(yáng)能電池磊芯片的轉(zhuǎn)換效率,預(yù)計(jì)年底前由目前的31%提高到35%。

  不同于目前已缺貨的硅外延片太陽(yáng)能技術(shù),全新光電運(yùn)用化合物半導(dǎo)體材料可吸收較寬廣之太陽(yáng)光譜能量特性,大幅提高轉(zhuǎn)換效率。

  全新光電主管表示,化合物半導(dǎo)體材料仍存在材料價(jià)格高、推廣難的問題。不過,由于轉(zhuǎn)換效率較高、所需土地面積小,成為發(fā)電廠的備選項(xiàng),應(yīng)用前途廣闊。

  關(guān)于全新光電

  全新光電成立于1996年11月,主要以有機(jī)金屬氣相外延成長(zhǎng)法(Metal Organic Chemical Vapor Deposition, MOCVD)為核心技術(shù),提供各種光電子/微電子元件的磊芯片代工, 并提供超高亮度LED芯片。

  全新光電以HBT(異質(zhì)接面雙載子磊芯片)砷化鎵微波元件起家,近年積極跨入紅光LED和太陽(yáng)能電池磊芯片,全新的紅光LED在業(yè)界的效率僅次于晶電,幷與華上光電在伯仲之間,因此引起下游廠商的注意。

  除紅光LED以外,全新光電因早期即投入太陽(yáng)能電池研發(fā),去年以「高效率聚光型多接面太陽(yáng)能電池磊芯片」獲經(jīng)濟(jì)部技術(shù)處主導(dǎo)性新產(chǎn)品計(jì)劃,目前已達(dá)31%轉(zhuǎn)換效率技術(shù)水準(zhǔn),預(yù)定年底前可將轉(zhuǎn)換效率提高至35%,全新光電積極參與國(guó)內(nèi)核能研究所高效率聚光型太陽(yáng)能光電發(fā)電系統(tǒng)(HCPV)計(jì)劃,是臺(tái)灣太陽(yáng)能電池磊芯片唯一得標(biāo)廠商。(編輯:PCL)

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