日亞化學(xué)開發(fā)出488nm振蕩波長(zhǎng)的激光器
摘要: 日亞化學(xué)開發(fā)出連續(xù)振蕩時(shí)中心波長(zhǎng)為488nm的藍(lán)綠色半導(dǎo)體激光元件,08年3月開始樣品供貨。該產(chǎn)品在使用GaN系半導(dǎo)體激光元件并已投產(chǎn)的品種中,發(fā)光波長(zhǎng)最長(zhǎng)。
日亞化學(xué)開發(fā)出連續(xù)振蕩時(shí)中心波長(zhǎng)為488nm的藍(lán)綠色半導(dǎo)體激光元件,08年3月開始樣品供貨。該產(chǎn)品在使用GaN系半導(dǎo)體激光元件并已投產(chǎn)的品種中,發(fā)光波長(zhǎng)最長(zhǎng)。
該產(chǎn)品用于替代在生物技術(shù)等領(lǐng)域的研發(fā)中使用的Ar(氬離子)激光器。在該領(lǐng)域,Ar激光器是作為熒光分析的激發(fā)光源,即用該激光照射附有熒光材料的DNA,以定量分析材料的發(fā)光。據(jù)日亞化學(xué)介紹,Ar激光器能量轉(zhuǎn)換效率只有幾個(gè)百分點(diǎn),因此發(fā)熱量大,冷卻系統(tǒng)較大,所以一直渴望能夠減小激光照射裝置的尺寸。此次發(fā)表的藍(lán)綠色半導(dǎo)體激光器將能量轉(zhuǎn)換效率提高到了13%,可實(shí)現(xiàn)激光照射裝置的小型化。另外,日亞化學(xué)還提到了此次開發(fā)的元件與Ar激光器相比可進(jìn)行高速調(diào)制的特點(diǎn)。在正于美國圣諾塞舉行的“Photonics West”上,該公司1月22日開始在其展位上展示該產(chǎn)品。
已開始樣品供貨的品種的輸出功率在連續(xù)振蕩時(shí)為5mW。此時(shí)的驅(qū)動(dòng)電流為71mA、驅(qū)動(dòng)電壓為5.3V。連續(xù)振蕩時(shí),藍(lán)綠色半導(dǎo)體激光器的閾值電流為49mA,閾值電壓為5.0V。連續(xù)振蕩、輸出功率為5mW時(shí),經(jīng)證實(shí)在+25℃下可穩(wěn)定工作1000小時(shí)。推算壽命在1萬小時(shí)以上(初期電流值達(dá)到1.3倍時(shí))。最初只有5mW型號(hào),20mW型號(hào)“也不是不可能實(shí)現(xiàn)”(日亞化學(xué)工業(yè)),目前正在做投產(chǎn)前的開發(fā)。雖然沒有詳細(xì)介紹,不過20mW型號(hào)很可能與5mW型號(hào)相比,改變了輸入電流時(shí)的光輸出功率的特性。
為了實(shí)現(xiàn)中心波長(zhǎng)488nm,提高了發(fā)光層中的In的比例。不過,由于晶格常數(shù)存在差異,In比率提高得越多,結(jié)晶中的轉(zhuǎn)位缺陷就越多,結(jié)果會(huì)導(dǎo)致結(jié)晶質(zhì)量下降,難以發(fā)光。此次,最優(yōu)化了結(jié)晶的生長(zhǎng),不用增加太多轉(zhuǎn)位密度就能提高In的比例。另外,為了使產(chǎn)生的光在結(jié)晶過程中不易被吸收掉,在發(fā)光層的層結(jié)構(gòu)等方面也做了改進(jìn)。
此次,日亞化學(xué)工業(yè)與現(xiàn)有產(chǎn)品一樣在GaN底板的極性面上形成了發(fā)光元件構(gòu)造。目前在GaN系半導(dǎo)體激光元件領(lǐng)域,旨在實(shí)現(xiàn)綠色半導(dǎo)體激光器的大波長(zhǎng)研究已成為熱點(diǎn)。在大波長(zhǎng)方面,一般是提高發(fā)光層中的In比例,而如上所述,結(jié)晶缺陷就會(huì)隨之增加,同時(shí)也會(huì)因?yàn)閴弘婋妶?chǎng)影響的增強(qiáng)而導(dǎo)致發(fā)光效率下降。近來,為減小壓電電場(chǎng)而在GaN底板的非極性面上形成發(fā)光元件構(gòu)造的研究已經(jīng)開始。日亞化學(xué)工業(yè)不僅在非極性面上,還致力于在極性面上進(jìn)行大波長(zhǎng)的研究。(編輯:PCL)
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