日立制作所試制出了振蕩波長為755nm、在單一橫模式下連續(xù)振蕩時的光輸出功率高達100mW的半導體激光器。在室溫下，光輸出功率為100mW時的工作電流為110mA左右。可在+80℃以下穩(wěn)定工作。設想應用于測量血液中還原血紅蛋白的生物測量裝置等用途。

　　在半導體激光器的活性層量子阱材料中采用了InGaAsP。結晶生長方法采用了有機金屬氣相沉積法(MOCVD)。通過調整結晶組成和結晶生長條件，提高了InGaAsP的結晶品質，實現(xiàn)了755nm的振蕩波長。光導波路采用了保留導波路包層、用蝕刻技術去除兩邊的“脊形結構”。這樣就減少了光損失。脊形結構通過一次結晶生長過程便可形成，有利于降低成本。

　　日立制作所表示，現(xiàn)有的波長為700～770nm的振蕩發(fā)光半導體激光器，其工作溫度的上限大多都在+50℃左右。此前以755nm波長實現(xiàn)激光振蕩、功率在10mW以上的半導體激光器尚未達到實用水平。

　　波長在700nm以上的激光在水中或血液中很少被吸收，對生物體的穿透性較高，因此適于生物測量用途。尤其是波長為755nm的激光，很容易被還原血紅蛋白吸收。適于根據(jù)血液中的還原血紅蛋白來測量血液氧濃度及血液流量等用途。把此次開發(fā)的半導體激光器作為光源，與光源使用LED及固體激光器的裝置相比，有望提高測量精度并實現(xiàn)裝置的小型化及低耗電化。

　　日立制作所將在2008年3月27～30日于千葉縣的日本大學理工學部船橋校內(nèi)舉行的“第55次應用物理學聯(lián)合演講會”上公布此次的成果。（編輯：PCL）