晶能光電（江西）有限公司「硅襯底發光二極體材料與器件」產業化專案一期工程竣工
2008-05-09
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來源：ledinside
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摘要： 近日，晶能光電（江西）有限公司「硅襯底發光二極體材料與器件」產業化專案一期工程竣工，2008年4月30日上午舉行了竣工投產典禮。
近日，晶能光電(江西)有限公司「硅襯底發光二極體材料與器件」產業化專案一期工程竣工，2008年4月30日上午舉行了竣工投產典禮。今年5月份開始量產，形成年產30億顆芯片的產能。
晶能光電(江西)有限公司專門從事硅襯底氮化鎵基LED外延片材料與芯片生產的高科技企業，坐落在南昌國家高新區美麗的贛江之濱艾溪湖畔。
在氮化鎵基半導體發光材料領域，晶能光電(南昌大學)創造性發展出第三條半導體照明技術路線。該技術是一種改寫氮化鎵基LED歷史的新技術，具有原創技術產權，已獲得或者公開國際國內發明專利47項。該專案先后得到了在科技部863計畫、資訊產業部電子發展基金、教育部和江西省、南昌市等各類科技計畫的資助。
晶能光電目前生產的LED芯片具有如下三大特點：
(一)具有原創技術產權：產品可銷往國際市場。
(二)具有優良的性能：產品抗靜電性能好，壽命長，可承受的電流密度高。
(三)器件封裝工藝簡單：芯片為上下電極，單引線垂直結構，在器件封裝時只需單電極引線，簡化了封裝工藝，節約了封裝成本。（編輯:FJ）
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