第十五屆全國化合物半導(dǎo)體材料、微波器件和光電器件學(xué)術(shù)會(huì)議于2008年11月30日在廣州召開。會(huì)議由中國電子學(xué)會(huì)半導(dǎo)體與集成技術(shù)分會(huì)、電子材料分會(huì)主辦，中山大學(xué)光電材料與技術(shù)國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室和廣州市科協(xié)承辦。會(huì)議圍繞化合物半導(dǎo)體，特別是近年來迅猛發(fā)展的寬禁帶化合物半導(dǎo)體在材料生長、器件與電路設(shè)計(jì)、制造工藝及其應(yīng)用等方面的發(fā)展與最新成就進(jìn)行研討，探討國際上化合物半導(dǎo)體、微波器件和光電器件以及固體薄膜的現(xiàn)狀和發(fā)展趨勢(shì)。會(huì)議由大會(huì)邀請(qǐng)報(bào)告和分會(huì)專題報(bào)告組成。

　　在大會(huì)邀請(qǐng)報(bào)告中，王占國院士詳細(xì)介紹了激光顯示的發(fā)展現(xiàn)狀及趨勢(shì)，鄭有炓院士就Ⅲ族氮化物半導(dǎo)體發(fā)展中面臨的幾個(gè)科學(xué)技術(shù)問題與參會(huì)代表進(jìn)行了深入探討。在這次會(huì)議中，與會(huì)代表一致認(rèn)為化合物半導(dǎo)體在各種應(yīng)用中的發(fā)展?jié)摿薮螅壳斑€只是其特性的很小應(yīng)用，隨著研究的深入，未來將會(huì)有更加廣闊的應(yīng)用前景。在對(duì)化合物半導(dǎo)體的研究中，氮化鎵由于在照明、通訊、電子等方面的應(yīng)用前景成為近年來研究的重點(diǎn)。

　　在這次會(huì)議中，半導(dǎo)體照明成為研討的重點(diǎn)之一。會(huì)議特別邀請(qǐng)國家半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟秘書長吳玲女士做了題為《中國半導(dǎo)體照明發(fā)展現(xiàn)狀及趨勢(shì)》的主題報(bào)告，國家半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟研發(fā)主席、中科院半導(dǎo)體所李晉閩所長做了《半導(dǎo)體照明技術(shù)的一些最新進(jìn)展》主題報(bào)告。其中吳玲秘書長介紹了當(dāng)前國際金融危機(jī)對(duì)我國半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)造成的影響，同時(shí)指出我國半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)總體發(fā)展良好的趨勢(shì)沒有改變，在2010年將會(huì)迎來新的發(fā)展高峰。

　　此外，在三個(gè)分會(huì)場(chǎng)與會(huì)代表還圍繞化合物半導(dǎo)體材料的其他應(yīng)用和發(fā)展前景，就具體的技術(shù)問題和產(chǎn)業(yè)熱點(diǎn)進(jìn)行了研討交流。(編輯：ZQY)