美國InPhenix新推840nm SLED
2009-01-14
作者：未知
來源：中國半導體照明網
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摘要： 近日，美國Inphenix公司宣佈已經研制出新型840nm的大功率寬帶SLED器件，該款SLED器件的帶寬大于30nm，功率大于5mw，能應用于工業和醫療領域。
近日，美國Inphenix公司宣佈已經研制出新型840nm的大功率寬帶SLED器件，該款SLED器件的帶寬大于30nm，功率大于5mw，能應用于工業和醫療領域。
這款840nm SLED擴展了Inphenix公司在750-1600nm波段的SLED產品線，增強了Inphenix的GaAs光學器件在OCT領域的應用表現。840nm波長SLED使用了獨特的多重量子阱設計，使之具有功率大、帶寬寬、以壽命長的特點，器件工作更穩定。目前，840nm SLED已經開始批量發貨，可接受小批量和大批量訂貨。
關于InPhenix:
InPhenix公司是業界光電子器件及子系統的供應商，服務于電信，醫學，工業和安防領域。該公司擁有國際頂級的獨特的InP和GaAs生產技術，生產高性能和優成本光學設備和模塊。InPhenix的產品包括了半導體光放大器(SOA)，超輻射發光二級管(SLED)，增益芯片，DFB激光器和FP激光器。(編輯：XGY)
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