臺積電15日推出模塊化BCD(Bipolar,CMOS DMOS)工藝，將可為客戶生產(chǎn)高電壓的整合LED驅(qū)動集成電路產(chǎn)品。

　　這一新的BCD工藝特色在于提供12伏至60伏的工作電壓范圍，可支持多種LED的應(yīng)用，包括：LCD平面顯示器的背光源、LED顯示器、一般照明與車用照明等，且工藝橫跨0.6微米至0.18微米，并有數(shù)個數(shù)字核心模快可供選擇，適合不同的數(shù)字控制電路閘密度。此外，也提供CyberShuttleTM共乘試制服務(wù)，支持0.25微米與0.18微米工藝的初步功能驗證。

　　借著新工藝所提供的多項整合特色，可減少系統(tǒng)產(chǎn)品的物料清單。高壓DMOS不僅提供MOSFET開關(guān)整合，降低零組件數(shù)目外，其他可被整合的零組件還包括：高電壓雙載子電晶體、高電壓/高精密電容器、高電阻多晶硅齊納二極體(Zenerdiode)等，也可降低外部零組件數(shù)，并顯著地縮小電路板的面積。

　　DMOS工藝支持專業(yè)集成電路制造中領(lǐng)先的漏極至源極導(dǎo)通電阻(Rdson)效能(例如：對一特定的60V NLDMOS元件，當(dāng)BV>80V時，其Rdson為72mohm-mm2)以及其高電流驅(qū)動能力，可由元件尺寸的最佳化來提升功率效率；可靠的安全操作區(qū)域(SOA)也能讓功率開關(guān)與驅(qū)動電路更為理想；還有更多詳細(xì)的特性分析亦可作為有用的參考，使IC設(shè)計能達(dá)到最佳的芯片尺寸及設(shè)計預(yù)算。

　　在COMS方面，5伏工作電壓能支持占空比脈沖寬度調(diào)變器(PulseWidthModulationcontroller)的設(shè)計，而2.5伏及1.8伏的邏輯核心，則通用于較高層次的數(shù)字整合。除此之外，與邏輯線路相容、單次寫入及多次寫入均可的記憶體選項，也可提供強(qiáng)化的數(shù)字程式設(shè)計使用。

　　臺積電工業(yè)電子開發(fā)處劉信生處長指出，就驅(qū)動元件整合來說，新的LED驅(qū)動IC的BCD工藝是非常尖端的技術(shù)，其相關(guān)的工藝設(shè)計套件(PDKs)強(qiáng)調(diào)高度精準(zhǔn)的SPICE模型，提供單芯片設(shè)計更多的方便性。除此之外，MismatchingModel可協(xié)助提升目前在多通道LED驅(qū)動器設(shè)計上的精準(zhǔn)度。（編輯:FJ）