GaN基LED外延材料缺陷對其器件可靠性的影響
2009-12-21
作者：admin
來源：廣東半導體照明工程省部產學研創新聯盟
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摘要： 采用 X 光雙晶衍射儀分析了 GaN 基發光二極管外延材料晶體結構質量并制成 GaN2-LED 芯片 , 對分組抽取特定區域芯片封裝成的 GaN2LED 器件進行可靠性試驗 。對比分析表明 。
采用 X 光雙晶衍射儀分析了 GaN 基發光二極管外延材料晶體結構質量并制成 GaN2-LED 芯片 , 對分組抽取特定區域芯片封裝成的 GaN2LED 器件進行可靠性試驗 。對比分析表明 。
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