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比利時(shí)大功率LED新技術(shù) 用硅基氮化鎵

2009-07-21 作者:admin 來源:光電新聞網(wǎng) 瀏覽量: 網(wǎng)友評(píng)論: 0

摘要: 比利時(shí)研究中心(IMEC)推出一項(xiàng)聯(lián)合開發(fā)計(jì)劃,目標(biāo)是降低氮化鎵(GaN)技術(shù)成本,采用大直徑的硅基氮化鎵(GaN-on-Si),并開發(fā)高效率、大功率白光LED,致力于推動(dòng)氮化鎵技術(shù)的發(fā)展,包括功率轉(zhuǎn)換和固態(tài)照明(SSL)應(yīng)用。

  日前,比利時(shí)研究中心(IMEC)推出一項(xiàng)聯(lián)合開發(fā)計(jì)劃(IIAP:industrial affiliation program),目標(biāo)是降低氮化鎵(GaN)技術(shù)成本,采用大直徑的硅基氮化鎵(GaN-on-Si),并開發(fā)高效率、大功率白光LED,致力于推動(dòng)氮化鎵技術(shù)的發(fā)展,包括功率轉(zhuǎn)換和固態(tài)照明(SSL)應(yīng)用。

  IMEC GaN項(xiàng)目總監(jiān)Marianne Germain表示,采用大直徑的硅芯片(尺寸從100mm到150mm,再增至200mm)與CMOS兼容程序相結(jié)合,可創(chuàng)造經(jīng)濟(jì)上可行的解決方案。就固態(tài)照明而言,IIAP計(jì)劃的一部分是,將運(yùn)用硅基氮化鎵技術(shù)來開發(fā)高效率、大功率白光LED。該計(jì)劃的目標(biāo)包括改善內(nèi)部與外部量子效率,并實(shí)現(xiàn)高電流作業(yè)。

  IMEC表示,III族氮化物具備卓越的發(fā)光特性,并具有廣泛的可見光與紫外光譜。然而,如果采用新型批量制造技術(shù),開發(fā)出光效可達(dá)150lm/W的LED,那么,使用這些設(shè)備開發(fā)出的LED才能被廣泛接受。

  IMEC還將邀請(qǐng)集成設(shè)備制造商與化合物半導(dǎo)體行業(yè)共同加入該計(jì)劃。

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