比利時大功率LED新技術 用硅基氮化鎵
2009-07-21
作者：admin
來源：光電新聞網
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摘要： 比利時研究中心(IMEC)推出一項聯合開發計劃,目標是降低氮化鎵(GaN)技術成本，采用大直徑的硅基氮化鎵(GaN-on-Si)，并開發高效率、大功率白光LED，致力于推動氮化鎵技術的發展，包括功率轉換和固態照明(SSL)應用。
日前，比利時研究中心(IMEC)推出一項聯合開發計劃(IIAP：industrial affiliation program)，目標是降低氮化鎵(GaN)技術成本，采用大直徑的硅基氮化鎵(GaN-on-Si)，并開發高效率、大功率白光LED，致力于推動氮化鎵技術的發展，包括功率轉換和固態照明(SSL)應用。
IMEC GaN項目總監Marianne Germain表示，采用大直徑的硅芯片(尺寸從100mm到150mm，再增至200mm)與CMOS兼容程序相結合，可創造經濟上可行的解決方案。就固態照明而言，IIAP計劃的一部分是，將運用硅基氮化鎵技術來開發高效率、大功率白光LED。該計劃的目標包括改善內部與外部量子效率，并實現高電流作業。
IMEC表示，III族氮化物具備卓越的發光特性，并具有廣泛的可見光與紫外光譜。然而，如果采用新型批量制造技術，開發出光效可達150lm/W的LED，那么，使用這些設備開發出的LED才能被廣泛接受。
IMEC還將邀請集成設備制造商與化合物半導體行業共同加入該計劃。
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