目前，國產功率型照明級LED芯片產品在光效、壽命以及可靠性等性能方面都取得較大進展，開發出圖形襯底、透明電極和全方位反射鏡等一系列關鍵工藝技術。產業化方面，以三安光電為代表的國內廠商突破了100lm/W的技術大關，順利完成了“863計劃”課題目標。國產芯片有望憑借優越的性能和極具競爭力的價格優勢在當前的“十城萬盞”試點示范工程、大尺寸液晶顯示屏背光以及室內通用照明等應用領域逐步滲透并最終取代進口芯片。

　　2009年，我國芯片國產率達52%,產值較2008年增長25%,達到23億元;LED封裝產值為204億元;半導體照明應用在擺脫金融危機的影響后，逆勢增長30%以上，達到600億元。2009年我國LED產業總規模共計827億元。從產業環境來分析，2009年國內外影響產業環境的大事件不斷，半導體照明與當今世界的社會和經濟發展聯系愈加緊密，機遇和挑戰并存;從產業本身來看，國內外技術不斷突破，新的應用迅速發展，相關扶持政策逐步出臺，產業競爭在技術、市場、產品等層面均出現了新的形態;從產業發展趨勢來看，我國半導體照明產業發展機遇明顯大于挑戰，整體產業環境和產業競爭進一步完善，產業發展前景更加明朗。

　　在中國LED芯片產業的發展過程中，早期產品主要以普通亮度為主，生產廠商也只有南昌欣磊等少數幾家。進入2003年后，以廈門三安、大連路美為代表的幾家芯片生產企業陸續成立。針對芯片市場的需求，這些生產企業紛紛把產品重點集中在高亮度芯片，這直接帶動了中國高亮度芯片產量的快速增長。一時間，中國掀起了LED芯片產業發展的心高潮，高亮度芯片成為中國LED芯片產業發展的主要推動力。2006年中國LED芯片產量大大309.3億個，產值11.9億元。對于高亮度芯片來說，2003年至今成為高速發展階段。特別是隨著廈門三安、大連路美等一批高亮度芯片生產企業的產能釋放，國內高亮度芯片產量出現井噴式增長，在經歷了2003-2005年產量增長過100%的快速增長期后，2006年高亮度芯片產量繼續保持過100%的增長速度，增長率達到101,4%,芯片產值增長率達到45%.