目前國際上GaN基LED產業主流的襯底是藍寶石，也有少量公司使用SiC襯底及Si襯底。Si襯底價格低廉，導電性能優良，但是Si與GaN的失配很大，外延出的GaN位錯密度較高，而且很容易發生龜裂，要獲得高質量的GaN外延層非常困難。最近南昌大學在Si襯底上生長GaN基藍光LED方面取得了較大進展，光效達到了116.7流明，達到了同類產品的最高水平。

　　同時，其技術也得到了嚴密的專利保護，其大規模產業化的進展，對于提高我國LED技術專利在國際上的地位具有很重要的意義。Si襯底GaNLED芯片的研制成功，改寫了以藍寶石、SiC為襯底的GaNLED的歷史，為LED走向普通照明開辟出一條新的技術路線。從此次會議的反應看，硅襯底LED正在成為業界關注的焦點，硅襯底LED技術承載了業界太多的希望。

　　LED工藝技術進步非?？?，在工藝技術快速進步的同時，硬件設備并未獲得突破，特別是沒有成熟的國產設備，大量核心的設備需要進口，嚴重制約了LED技術和產業的發展。

　　MOCVD設備進口激增產業發展風險凸顯

　　據不完全統計，國內大約30個單位已經公示或正在籌建LED外延芯片項目。其投資購買MOCVD設備的數量在1400臺～1600臺，而實際較可能的數量也有500臺～600臺。

　　為什么會有如此大的投入，山東浪潮華光光電子有限公司副總經理任忠祥分析認為，錯誤數據的引導，使政治家和企業家熱血沸騰。“LED外延片與芯片約占行業70%利潤，LED封裝約占10%～20%，而LED應用大概也占10%～20%”，站在我國的角度看這是個錯誤的數據。據調查，封裝行業和應用行業的利潤在3%～10%之間，按照平均6%計算，2009年我國封裝和應用的利潤在48億元左右，而2009年我國外延和芯片的總產值才23億元，所以說LED外延片與芯片約占行業70%利潤的說法是錯誤的。這個錯誤的數據使人們的投資拼命投向外延片和芯片產業。