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陶氏化學于韓國設的三甲基鎵(TMG)新廠動工興建

2010-11-04 作者:未知 來源:ledinside 瀏覽量: 網友評論: 0

摘要: 美國化工業龍頭陶氏化學(Dow Chemical Co.)子公司Dow Electronic Materials宣布,其位于南韓天安(Cheonan)的三甲基鎵(TMG)新廠已經動工興建,預計2011年初便可投產。

  美國化工業龍頭陶氏化學(Dow Chemical Co.)子公司Dow Electronic Materials宣布,其位于南韓天安(Cheonan)的三甲基鎵(TMG)新廠已經動工興建,預計2011年初便可投產。

  三甲基鎵為一種有機金屬化學氣相沉積(MOCVD)的前驅物質,對于LED以及其他化合物半導體元件的生產極為重要。

  Dow Electronic Materials指出,韓國天安新廠,為2010年6月宣布的分階段擴產計劃當中的一環。這項整體擴產計劃,年產能可望增加60噸。而美國現有廠區的產能擴增計劃正如期進行中,2010年底至2011年Q1間將陸續有新產能開出。

  Dow Electronic Materials目前在美國麻州North Andover生產三甲基鎵與其他有機金屬前驅物,封裝工作則在North Andover與臺灣桃園兩地進行。陶氏化學與液晶玻璃基板暨光纖大廠康寧(Corning)合資公司Dow Corning Corp.在韓國Jincheon另設有一座專門生產LED用硅膠的工廠。(編輯:ZQY)

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