是不是碳化硅就是LED襯底的最佳選擇呢，不是這樣，任何事物都會有創(chuàng)新和發(fā)展的，最近臺灣的鉆石科技開發(fā)出了鉆石島外延片(Diamond Islands Wafer，DIW)做為生產(chǎn)超級LED 的基材。這種LED的熱阻可以低至<5°C/W。用它制成的超級LED 可發(fā)出極強的紫外光，其強度不因高溫而降低，反而會更亮。其結(jié)構(gòu)圖如圖4所示。

　　　而且采用紫外線來激發(fā)各種熒光粉也可以得到所需要的各種顏色的LED。而且熒光粉不是采用和環(huán)氧樹脂或硅膠混合的方法而是直接涂于芯片表面還可以避免由于環(huán)氧樹脂和硅膠的老化而產(chǎn)生的光衰。

　　這將會使整個LED產(chǎn)生革命性變化。而且擺脫了日美等國的專利束縛。

　　三.集成LED的散熱

　　現(xiàn)在有不少廠商把很多LED晶粒集成在一起以得到大功率的LED。這種LED的功率可以達(dá)到5W以上，大多以10W，25W，和50W的功率等級出現(xiàn)。為了把多個LED晶粒(以共晶(Eutectic)或覆晶(Flip-Chip)封裝)連接在一起，因為這些晶粒極為精細(xì)，所以需要采用精確的印制電路進(jìn)行連接。為了得到更好的散熱特性，通常采用陶瓷基板。這種陶瓷基板是由氧化鋁和氮化鋁構(gòu)成。各種材料的導(dǎo)熱系數(shù)如下表所示。

　　不論氮化鋁還是氧化鋁，它們都是一種絕緣的陶瓷材料，所以可以把印制電路做在上面。但是氮化鋁具有高10倍的導(dǎo)熱系數(shù)，所以現(xiàn)在更常用氮化鋁。過去采用厚膜電路，但是其表面不平，電路邊緣毛糙，而且需要800°C以上的燒結(jié)溫度。現(xiàn)在大多采用薄膜電路，因為它只需要300度以下的工藝，表面平整度可以<0.3um，不會有氧化物生成，附著性好，電路精細(xì)，誤差低于+/-1%。它實際上是采用照相刻蝕的方法來制作，采用氧化鋁為基底的薄膜電路制備的具體過程如下：

　　6. 薄膜電路的制備過程