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普瑞氮化鎵上矽LED技術達到135lm/w效能

2011-03-28 作者: 來源:ledinside 瀏覽量: 網友評論: 0

摘要: 美國LED大廠Bridgelux(普瑞光電)運用“氮化鎵上矽”(GaN-On-Silicon)的LED技術,已達成每瓦135流明之效能。這使得Bridgelux在矽半導體基板LED技術方面成為全球首家達到商品化等級效能的廠商。

  美國LED大廠Bridgelux(普瑞光電)運用“氮化鎵上矽”(GaN-On-Silicon)的LED技術,已達成每瓦135流明之效能。這使得Bridgelux在矽半導體基板LED技術方面成為全球首家達到商品化等級效能的廠商。

  目前LED磊晶生成大多系采用藍寶石基板或碳化矽基板材料。但大直徑的藍寶石基板與碳化矽基板成本較高,并且加工困難,貨源亦不易取得,導致以藍寶石基板和碳化矽基板生產的LED照明產品,迄今尚無法普及到住宅與商業建筑等領域。

  Bridgelux研究,氮化鎵上矽LED的效能,足以媲美12至24個月前推出的頂級藍寶石基板LED。預估未來2至3年內,應用于商業市場的氮化鎵上矽LED產品,就能上市銷售。

  這次Bridgelux運用氮化鎵上矽(GaN-On-Silicon)LED技術達成每瓦135流明之效能,是采用350mA電流的1.5mm LED,其相對色溫CCT為4730K。這些LED只需要極低的運作電壓、2.90伏特,就可以在350mA環境下運作。若在1安培電流下,更僅需小于3.25伏特的電壓。

  由于這些元件具備極低的順向電壓,及優異的熱阻特性,因此適用于各種高效能的照明及應用。而優化的磊晶制程針對8吋矽晶圓,將使LED的制程能相容于現行的自動半導體生產線。

  Bridgelux采用輕資產營運模式,主要系運用本身在LED磊晶領域的研發既入基礎與智慧財產資源,和伙伴廠商合作生產各種矽基LED。為了擴大量產新技術LED,公司目前正和多家著名半導體廠商洽談,計劃將運用全球各地已折舊的8吋晶圓廠及其制程,來生產LED。

  Bridgelux執行長Bill Watkins表示,矽基LED技術將可大幅降低固態照明的成本結構,為固態照明領域廠商省下大筆的初期投資資金。預期只需2到3年內,即使是對價格最敏感的市場,例如商務與辦公室照明、住宅應用以及換新燈具等,都將極快速地轉型成固態照明產品。

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