普瑞氮化鎵上矽LED技術(shù)達(dá)到135lm/w效能
摘要: 美國LED大廠Bridgelux(普瑞光電)運(yùn)用“氮化鎵上矽”(GaN-On-Silicon)的LED技術(shù),已達(dá)成每瓦135流明之效能。這使得Bridgelux在矽半導(dǎo)體基板LED技術(shù)方面成為全球首家達(dá)到商品化等級(jí)效能的廠商。
美國LED大廠Bridgelux(普瑞光電)運(yùn)用“氮化鎵上矽”(GaN-On-Silicon)的LED技術(shù),已達(dá)成每瓦135流明之效能。這使得Bridgelux在矽半導(dǎo)體基板LED技術(shù)方面成為全球首家達(dá)到商品化等級(jí)效能的廠商。
目前LED磊晶生成大多系采用藍(lán)寶石基板或碳化矽基板材料。但大直徑的藍(lán)寶石基板與碳化矽基板成本較高,并且加工困難,貨源亦不易取得,導(dǎo)致以藍(lán)寶石基板和碳化矽基板生產(chǎn)的LED照明產(chǎn)品,迄今尚無法普及到住宅與商業(yè)建筑等領(lǐng)域。
Bridgelux研究,氮化鎵上矽LED的效能,足以媲美12至24個(gè)月前推出的頂級(jí)藍(lán)寶石基板LED。預(yù)估未來2至3年內(nèi),應(yīng)用于商業(yè)市場的氮化鎵上矽LED產(chǎn)品,就能上市銷售。
這次Bridgelux運(yùn)用氮化鎵上矽(GaN-On-Silicon)LED技術(shù)達(dá)成每瓦135流明之效能,是采用350mA電流的1.5mm LED,其相對(duì)色溫CCT為4730K。這些LED只需要極低的運(yùn)作電壓、2.90伏特,就可以在350mA環(huán)境下運(yùn)作。若在1安培電流下,更僅需小于3.25伏特的電壓。
由于這些元件具備極低的順向電壓,及優(yōu)異的熱阻特性,因此適用于各種高效能的照明及應(yīng)用。而優(yōu)化的磊晶制程針對(duì)8吋矽晶圓,將使LED的制程能相容于現(xiàn)行的自動(dòng)半導(dǎo)體生產(chǎn)線。
Bridgelux采用輕資產(chǎn)營運(yùn)模式,主要系運(yùn)用本身在LED磊晶領(lǐng)域的研發(fā)既入基礎(chǔ)與智慧財(cái)產(chǎn)資源,和伙伴廠商合作生產(chǎn)各種矽基LED。為了擴(kuò)大量產(chǎn)新技術(shù)LED,公司目前正和多家著名半導(dǎo)體廠商洽談,計(jì)劃將運(yùn)用全球各地已折舊的8吋晶圓廠及其制程,來生產(chǎn)LED。
Bridgelux執(zhí)行長Bill Watkins表示,矽基LED技術(shù)將可大幅降低固態(tài)照明的成本結(jié)構(gòu),為固態(tài)照明領(lǐng)域廠商省下大筆的初期投資資金。預(yù)期只需2到3年內(nèi),即使是對(duì)價(jià)格最敏感的市場,例如商務(wù)與辦公室照明、住宅應(yīng)用以及換新燈具等,都將極快速地轉(zhuǎn)型成固態(tài)照明產(chǎn)品。
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