2011年6月11日，“亞洲LED照明高峰論壇 -- 外延芯片技術(shù)與工藝和外延設(shè)備和材料”專題分會在廣州琶洲展館B區(qū)8號會議廳南廳舉行。來自華南師范大學(xué)范廣涵教授發(fā)表了《LED外延工藝及設(shè)備新發(fā)展》的專題演講。

　　范廣涵教授在他的演講中首先指出當(dāng)前LED大規(guī)模生產(chǎn)所面臨的技術(shù)問題有efficiency drop，極化場作用，與襯底晶格失配，進(jìn)一步提高內(nèi)量子效率等。針對上述問題，范教授接著例舉了目前世界上最新的LED外延技術(shù)發(fā)展如下：

　　1、LED襯底研發(fā)：GaN同質(zhì)襯底;非極性面襯底：企圖在非極性Si襯底上進(jìn)行發(fā)展，在Si襯底上插入Al2O3，改善晶體質(zhì)量和發(fā)光;Al2O3插入層;圖形襯底：向納米量級的圖形襯底探索突破，藍(lán)寶石納米圖形襯底明顯優(yōu)于傳統(tǒng)藍(lán)寶石襯底;大尺寸襯底···

　　2、橫向過生長新發(fā)展——解決失配性問題，提高效率。在GaN層上形成SiO2和孔列陣，再加一層GaN，改善外延質(zhì)量，提高光輸出功率近50%;法國非對稱橫向過生長技術(shù)，明顯提高GaN薄膜質(zhì)量;瑞士嵌入SiO2光子準(zhǔn)晶技術(shù);利用GaN納米線進(jìn)行外延，光輸出功率是傳統(tǒng)的3倍···

　　3、量子阱新設(shè)計——納米金字塔結(jié)構(gòu)上生長黃光量子阱，有效抑制壓電場;凹形量子阱，減弱靜電場，減少電子泄露，提高內(nèi)量子效率，減少效率下降問題;利用納米孔GaN增強LED中量子點的生長，增加量子點的密度，致光輸出功率增加1.45倍;InAlN做電子阻擋層;量子阱勢壘摻Si提高LED內(nèi)量子效率;SPS做p型接觸層···

　　4、光子晶體提高光提取效率

　　5、氮化鎵系LED新技術(shù)，紫外LED，雙波長LED等

　　最后，范廣涵教授談到MOCVD設(shè)備的發(fā)展時指出國外在此領(lǐng)域處在領(lǐng)先地位，國內(nèi)的眾多機構(gòu)正在積極研發(fā)，但只有樣機試點使用，總體發(fā)展較為緩慢。