2011年6月11日，“亞洲LED照明高峰論壇 -- 外延芯片技術與工藝和外延設備和材料”專題分會在廣州琶洲展館B區8號會議廳南廳舉行。來自華南師范大學范廣涵教授發表了《LED外延工藝及設備新發展》的專題演講。

　　范廣涵教授在他的演講中首先指出當前LED大規模生產所面臨的技術問題有efficiency drop，極化場作用，與襯底晶格失配，進一步提高內量子效率等。針對上述問題，范教授接著例舉了目前世界上最新的LED外延技術發展如下：

　　1、LED襯底研發：GaN同質襯底;非極性面襯底：企圖在非極性Si襯底上進行發展，在Si襯底上插入Al2O3，改善晶體質量和發光;Al2O3插入層;圖形襯底：向納米量級的圖形襯底探索突破，藍寶石納米圖形襯底明顯優于傳統藍寶石襯底;大尺寸襯底···

　　2、橫向過生長新發展——解決失配性問題，提高效率。在GaN層上形成SiO2和孔列陣，再加一層GaN，改善外延質量，提高光輸出功率近50%;法國非對稱橫向過生長技術，明顯提高GaN薄膜質量;瑞士嵌入SiO2光子準晶技術;利用GaN納米線進行外延，光輸出功率是傳統的3倍···

　　3、量子阱新設計——納米金字塔結構上生長黃光量子阱，有效抑制壓電場;凹形量子阱，減弱靜電場，減少電子泄露，提高內量子效率，減少效率下降問題;利用納米孔GaN增強LED中量子點的生長，增加量子點的密度，致光輸出功率增加1.45倍;InAlN做電子阻擋層;量子阱勢壘摻Si提高LED內量子效率;SPS做p型接觸層···

　　4、光子晶體提高光提取效率

　　5、氮化鎵系LED新技術，紫外LED，雙波長LED等

　　最后，范廣涵教授談到MOCVD設備的發展時指出國外在此領域處在領先地位，國內的眾多機構正在積極研發，但只有樣機試點使用，總體發展較為緩慢。