SJ/T××××-2××× 半導(dǎo)體發(fā)光二極管芯片測(cè)試方法(報(bào)批稿)
摘要: 半導(dǎo)體發(fā)光二極管芯片測(cè)試方法(報(bào)批稿),本標(biāo)準(zhǔn)由信息產(chǎn)業(yè)部電子工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)化研究所歸口。本標(biāo)準(zhǔn)由半導(dǎo)體照明技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)工作組組織起草。
引 言
LED芯片測(cè)試方法主要涉及LED芯片的電、輻射度和光度及色度學(xué)參數(shù),包括正向電壓、反向電流、色品坐標(biāo)、主波長(zhǎng)、色純度、光強(qiáng)度和光通量等;另外,LED熱學(xué)參數(shù)如結(jié)溫、熱阻和靜電放電測(cè)試方法, 包括人體模式和機(jī)器模式測(cè)試等在生產(chǎn)實(shí)踐中也常用到。為進(jìn)一步推進(jìn)和規(guī)范LED芯片測(cè)試和試驗(yàn)工作并和國(guó)外接軌,必須制定產(chǎn)業(yè)界切實(shí)有效的LED芯片測(cè)試方法的標(biāo)準(zhǔn)。
雖然LED芯片測(cè)試的原理與已封裝器件類(lèi)似,但是在測(cè)試的準(zhǔn)確性、可重復(fù)性和可比對(duì)性方面仍然存在許多問(wèn)題。 因此本標(biāo)準(zhǔn)對(duì)芯片測(cè)試的關(guān)鍵部分作出了統(tǒng)一明確的規(guī)定,例如規(guī)定了探針臺(tái)表面反射率、探針的直徑、彈性和角度等,同時(shí)標(biāo)準(zhǔn)還推薦了不同測(cè)試裝置之間定標(biāo)校準(zhǔn)的方法。使芯片的測(cè)試可以在可靠、重復(fù)性好的情況下進(jìn)行。
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