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廣鎵光電將持續轉向高功率芯片及照明產品

2011-08-26 作者:LEDth 來源:新世紀LED網 瀏覽量: 網友評論: 0

摘要: 黃兆年表示,廣鎵與首爾半導體合資成立的廣和光電,其所生產的產品將透過首爾半導體布局全球通路,同時交互授權取得專利,而加入晶電集團有助于議價能力,確保上游料源,同時技術交流提升實力,并取得專利保護。

  LED磊晶廠廣鎵光電總經理黃兆年在日前召開的上市前法人說明會上表示,公司積極調整產品結構,陸續轉向高功率芯片及照明,7月開始新產品已得到許多認證,隨時可以出貨,同時公司也切入平板計算機,目前也有認證,且小量出貨。子公司華鎵生產高亮度紅黃光LED,2011年MOCVD將達80臺,產能較2010年成長42%。

  黃兆年表示,廣鎵與首爾半導體合資成立的廣和光電,其所生產的產品將透過首爾半導體布局全球通路,同時交互授權取得專利,而加入晶電集團有助于議價能力,確保上游料源,同時技術交流提升實力,并取得專利保護。另外,公司經營策略將以平行專業分工為主,公司可以把資源放在專長的產品,如:中低功率小尺寸產品,可以快速滿足不同區域、不同廠商的各種需求,對客戶沖突較少。

  目前,廣鎵新舊產品7月交替完成,公司產能利用率達6-7成,MOCVD已達80臺,未來在產能規模、技術合作、專利權、下游出海口均取得良好戰略位置,預估此波LED產業景氣循環落底時,將可爭取一般照明商機,進一步可以快速恢復營運及成長動能,等待LED照明需求爆發,同時若有合適的策略伙伴,不排除繼續擴充產能。

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