新世紀LED網 訊 -近日（2012年11月5日）國際半導體照明聯(lián)盟(ISA)在廣州舉行年度成員大會，并正式發(fā)布了“全球半導體照明2012年度新聞”評選結果。晶能光電作為“全球首家量產硅基大功率LED芯片的公司”成功入選了“全球半導體照明2012年度新聞”。“全球半導體照明年度新聞”是全球半導體照明領域最具影響力的新聞事件，此次新聞事件充分體現(xiàn)了硅基大功率LED芯片量產對于半導體照明的重要意義，也再次確認晶能光電在硅基LED芯片研發(fā)制造方面的全球領先地位。

　　與此同時，第九屆中國國際半導體照明展覽會暨論壇也于2012年11月5日至7日在廣州保利世貿博覽館舉行，作為中國地區(qū)舉辦的最具規(guī)模的半導體照明行業(yè)年度盛會，展會覆蓋全球LED行業(yè)工藝設備、原材料、技術、產品與應用的創(chuàng)新發(fā)展。同期高端論壇已成功舉辦八屆，吸引了上萬名政府要員、公司高管和行業(yè)精英親臨現(xiàn)場。晶能光電公司作為全球硅基LED芯片研發(fā)及制造的先行者，展示了包括28mil、35mil、45mil、55mil在內的多款硅基大功率LED芯片產品。希望通過此次展會讓更多人進一步了解硅基LED芯片產品，同時也提供一次與行業(yè)精英們進行交流學習和共同提高的機會。

　　晶能光電擁有的硅基LED技術，具有完整的自主知識產權，目前已申請或獲得國際國內各種專利200余項，在藍寶石襯底、碳化硅襯底之外，形成了第三條半導體照明技術路線。

　　相比藍寶石襯底、碳化硅襯底技術，晶能光電目前硅襯底LED技術生產的芯片具有如下三大優(yōu)勢：

　　(一) 具有原創(chuàng)知識產權，產品可銷往國際市場，不受國際專利限制;

　　(二) 具有優(yōu)良的性能：器件散熱好、可在大電流密度下工作、抗靜電性能好、壽命長、光斑形狀好;

　　(三) 器件封裝工藝簡單，垂直結構芯片，適合做熒光粉直涂工藝，節(jié)約封裝成本。