東芝發(fā)布新氮化鎵LED產品規(guī)格書
摘要： 東芝在2012年12月中旬宣布已經開發(fā)出一種在200mm硅晶圓上制造氮化鎵LED的工藝，通過采用新型硅上氮化鎵(GaN-on-Si)技術來生產LED芯片，并且已準備開始量產。公司日前發(fā)布了現(xiàn)行產品的規(guī)格書，包括一款色溫3000K，一款色溫4000K及兩款色溫5000K的LED產品。
東芝在2012年12月中旬宣布已經開發(fā)出一種在200mm硅晶圓上制造氮化鎵LED的工藝，通過采用新型硅上氮化鎵(GaN-on-Si)技術來生產LED芯片，并且已準備開始量產。公司日前發(fā)布了現(xiàn)行產品的規(guī)格書，包括一款色溫3000K，一款色溫4000K及兩款色溫5000K的LED產品。
幾款產品的規(guī)格書都給出的是350mA驅動電流下的測試數(shù)據(jù)。在典型正向電壓為2.9V時，色溫5000K，顯色指數(shù)為70的TL1F1-NW0,L光效為110 lm/W，而同樣為5000K，顯色指數(shù)升高到80的TL1F1-NW1，L光效則降低到94 lm/W。另外兩款產品，3000K的TL1F1-LW1,L和4000K的TL1F1-WH1,L顯色指數(shù)都為80，光效也都達到84 lm/W。
規(guī)格書還顯示了新LED產品的最大額定值。連續(xù)驅動電流最大為800mA，而脈沖時最大可達1A。最高功率損耗為2.9W。當使用最高功率時產品光通量可接近加倍。
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