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宜特導入低成本先進制程IC可靠度測試設備

2013-01-08 作者: 來源:宜特科技 瀏覽量: 網友評論: 0

摘要: 繼2012年晶圓代工廠突破28奈米制程后,帶動半導體產業鏈2013年朝向20奈米更高階的制程、整合式的封裝發展,為解決IC設計公司因制程改變所延伸出的壽命問題,宜特(iST)集團今宣布,導入「高功率」IC壽命模擬測試設備- HTOL(High Temperature Operating Life Test,高溫工作壽命試驗),將可協助IC設計公司以更簡易、低成本的方式,執行先進制程的IC可靠度驗證。

  繼2012年晶圓代工廠突破28奈米制程后,帶動半導體產業鏈2013年朝向20奈米更高階的制程、整合式的封裝發展,為解決IC設計公司因制程改變所延伸出的壽命問題,宜特(iST)集團今宣布,導入「高功率」IC壽命模擬測試設備- HTOL(High Temperature Operating Life Test,高溫工作壽命試驗),將可協助IC設計公司以更簡易、低成本的方式,執行先進制程的IC可靠度驗證。

  宜特觀察發現,隨著云端整合技術日趨成熟、行動通訊產品滲透率日增,半導體元件在行動式裝置的發展仍以輕薄短小為主軸下,半導體元件製程則不斷朝更高階的28、20奈米移動,并隨市場需求走向SiP、SOC、POP、3D、3D TSV 等高階先進封裝技術。特別在臺灣封測雙雄-日月光、硅品不僅已從Prototype實驗階段,逐漸轉向量產態勢,晶圓大廠亦投入大量資本支出在新應用產品上。

  宜特科技工程總處資深副總經理崔革文說明,將多個IC置放至同一封裝體時,其整體壽命將會受到不同元件間的熱傳導相互干擾而下降,也就是10℃理論(溫度上升10℃,壽命縮減一半),而高階制程的IC,則是在相同面積下放入更多電晶體,如此所產生的熱,高達以往IC產品的數倍,因此,溫度提高對IC壽命的影響將不容小覷。

  崔革文更進一步指出,IC間因製程差異所產生的功率變異範圍也隨之提升。如何在傳統的IC HTOL(高溫工作壽命實驗)中,有效、平穩的控制每一個DUT(Device Under Test,被測元器件)的溫度,經由穩定的高溫加速模擬實驗,獲得實際應用的壽命預估數值,是目前IC設計公司高度關注的議題。

  宜特引進的IC高溫工作壽命解決方案,其設備所提供的Power與 I/O訊號Channel供應上更完整,并能以獨立溫控,取代傳統Air Cooling加溫方式,可協助IC設計公司降低IC試驗時產生的不確定性,縮短量產前產品驗證時間。若有相關需求,歡迎洽詢宜特業務TEL: 03-578-2266。

  關于宜特iST集團

  始創于1994年,宜特科技從 IC 線路除錯及修改起步,逐年拓展新服務,包括故障分析、可靠度驗證、材料分析與品質保證等,建構完整驗證與分析工程平臺與全方位服務。客戶范圍囊括了電子產業上游IC設計至中下游成品端。隨著綠色環保意識抬頭,宜特不僅專注核心服務,并關注國際趨勢拓展多元性服務,建置無鉛與無鹵可靠度驗證、化學定量分析與碳足跡溫室氣體盤查服務,順利取得多項國際知名且具公信力的機構 ─ 德國 TUV NORD 與英國 BSI 認證。同時在國際大廠的外包趨勢下,宜特科技也扮演品牌公司委外製造產品的獨立品質驗證第叁公證實驗室,取得 Dell、Cisco、Delphi、Continental Automotive、Lenovo 等品牌大廠認證實驗室資格。

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