BluGlass定制前端生產MOCVD系統生長多量子阱架構
2013-11-21
作者：
來源：LEDs科技
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摘要： BluGlass已經定制了一款前端生產ThomasSwanMOCVD系統，可在一次生長中生產19x2英寸(或5x4英寸或高達8英寸)的LED晶圓。該系統已經完成定制，并能夠生長多量子阱(MQW)架構，這種架構可使LED實現更高亮度里程碑。
BluGlass已經定制了一款前端生產ThomasSwanMOCVD系統，可在一次生長中生產19x2英寸(或5x4英寸或高達8英寸)的LED晶圓。該系統已經完成定制，并能夠生長多量子阱(MQW)架構，這種架構可使LED實現更高亮度里程碑。該里程碑涉及到通過在MOCVD用低溫遠程等離子化學氣相沉積(RPCVD)在p型GaN上生長MQW。
氮化銦鎵(InGaN)量子阱要在后續的MOCVD生長p型GaN工藝步驟的漸升溫度中降解，這會導致LED的亮度降低。采用RPCVD替代MOCVD生長p型GaN層可降低MQW的降解，因此可實現更高亮度LED。
BluGlass首席技術官IanMann博士表示，該系統的關鍵在于同時具有MOCVD和RPCVD，這兩種技術的結合使得光輸出更好。
最近，BluGlass收到了第二個MOCVD系統，該系統將被安裝和重配置為RPCVD系統。第二個系統將進一步加速蓋工的RPCVD開發，并有助于使RPCVD技術的晶圓沉積能力從目前的7x2英寸提升到19x2英寸(或8英寸)晶圓。
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