據諾貝爾獎官方網站消息，諾貝爾物理學獎于當地時間7日揭曉，赤崎勇(Isamu Akasaki)、天野浩(Hiroshi Amano)和中村修二(Shuji Nakamur) 因發明“高亮度藍色發光二極管”獲得2014年諾貝爾物理學獎。

　　獲獎理由：

　　三位獲獎者在發現新型高效、環境友好型光源，即藍色發光二極管(LED)方面做出巨大貢獻。在藍光LED的幫助下，白光可以以新的方式被創造出來。使用LED燈，我們可以擁有更加持久和更加高效的燈光代替原來的光源。

　　獲獎者簡介：

　　赤崎勇，1929年生，日本工程學、物理學家，曾任松下電器研究員，現任名城大學終身教授、名古屋大學特聘教授。赤崎勇開發了氮化鎵結晶化技術，并完成世界第一個高亮度的藍色發光二極管。

　　天野浩，1960年生，日本工程學家，專長半導體器件制造，現任名城大學、名古屋大學教授。曾與赤崎勇合作，完成世界第一個高亮度的藍色發光二極管。

　　中村修二，1954年生，日裔美籍電子工程學家，高亮度藍色發光二極管與青紫色激光二極管的發明者，世稱“藍光之父”。現任美國加州大學圣塔芭芭拉分校教 授。他于1993年在日本日亞化學工業株式會社(Nichia Corporation)就職期間，基于GaN開發了高亮度藍色LED，從而廣為人知。當時，開發一種藍色LED被認為是不可能的，此前的20年間只有紅 色和綠色LED。中村修二教授的創新使得LED生產商能夠生產三原色(紅、綠和藍)LED，從而使實現1600萬色成為可能。或許最為重要的是，LED行 業利用這種新技術來開始白色LED(半導體生態光源)的商業化生產。

　　中村修二觀點：

　　中村修二(Shuji Nakamur)曾在廣州國際照明展同期的新世紀LED高峰論壇上做過《氮化物襯底LED發展現狀暨前景》的演講。

　　對于襯底材料的研發仍是LED技術界關注的重點。高功率藍色發光二極管(LED)、激光二極管(LD)和全波段InN-GaN等，將會引發新的、更加大的商機，例如，光存儲、光通訊等。實現高功率藍色發光二極管(LED)、激光二極管(LD)和全波段InN-GaN實用化，并且達到其商品化，這需要合適的 襯底材料。因此，GaN材料及器件發展，需要尋找到與GaN匹配的襯底材料，進一步提高外延膜的質量。

　　科技發展越來越需要把不同體系的材料結合到一起，即稱之為異質結材料。應用協變襯底可以將晶格和熱失配的缺陷局限在襯底上，并且為開辟新的材料體系打下基礎。已提出了多種協變襯底的制備技術，例如，自支撐襯底、鍵合與扭曲鍵合、重位晶格過渡層，以及SOI和VTE襯底技術等。預計，在今后的10~20年中，大尺寸的、協變襯底的制備技術將獲得突破，并且廣泛應用于大失配異質結材料生長及其相聯系的光電子器件制造。

　　同時，他認為GaN同質化襯底LED，他指出，在不久的將來，GaN同質化襯底LED將會取代第一代LED，即藍寶石、碳化硅、硅襯底LED。這將會大大降低LED照明的總成本并且有助于光品質的提升，進而加速LED技術的普及和應用。

　　中村修二表示，用于激光照明的GaN襯底LED有著非常光明的前景，因激光照明沒有光衰，將是未來的大勢所趨。