赤崎勇，1929年生，日本工程學(xué)、物理學(xué)家，曾任松下電器研究員，現(xiàn)任名城大學(xué)終身教授、名古屋大學(xué)特聘教授。赤崎勇開發(fā)了氮化鎵結(jié)晶化技術(shù)，并完成世界第一個高亮度的藍(lán)色發(fā)光二極管。

　　天野浩，1960年生，日本工程學(xué)家，專長半導(dǎo)體器件制造，現(xiàn)任名城大學(xué)、名古屋大學(xué)教授。曾與赤崎勇合作，完成世界第一個高亮度的藍(lán)色發(fā)光二極管。

　　中村修二，1954年生，日裔美籍電子工程學(xué)家，高亮度藍(lán)色發(fā)光二極管與青紫色激光二極管的發(fā)明者，世稱“藍(lán)光之父”?，F(xiàn)任美國加州大學(xué)圣塔芭芭拉分校教 授。他于1993年在日本日亞化學(xué)工業(yè)株式會社(Nichia Corporation)就職期間，基于GaN開發(fā)了高亮度藍(lán)色LED，從而廣為人知。當(dāng)時，開發(fā)一種藍(lán)色LED被認(rèn)為是不可能的，此前的20年間只有紅 色和綠色LED。中村修二教授的創(chuàng)新使得LED生產(chǎn)商能夠生產(chǎn)三原色(紅、綠和藍(lán))LED，從而使實(shí)現(xiàn)1600萬色成為可能?；蛟S最為重要的是，LED行 業(yè)利用這種新技術(shù)來開始白色LED(半導(dǎo)體生態(tài)光源)的商業(yè)化生產(chǎn)。

　　中村修二觀點(diǎn)：

　　中村修二(Shuji Nakamur)曾在廣州國際照明展同期的新世紀(jì)LED高峰論壇上做過《氮化物襯底LED發(fā)展現(xiàn)狀暨前景》的演講。

　　對于襯底材料的研發(fā)仍是LED技術(shù)界關(guān)注的重點(diǎn)。高功率藍(lán)色發(fā)光二極管(LED)、激光二極管(LD)和全波段InN-GaN等，將會引發(fā)新的、更加大的商機(jī)，例如，光存儲、光通訊等。實(shí)現(xiàn)高功率藍(lán)色發(fā)光二極管(LED)、激光二極管(LD)和全波段InN-GaN實(shí)用化，并且達(dá)到其商品化，這需要合適的 襯底材料。因此，GaN材料及器件發(fā)展，需要尋找到與GaN匹配的襯底材料，進(jìn)一步提高外延膜的質(zhì)量。

　　科技發(fā)展越來越需要把不同體系的材料結(jié)合到一起，即稱之為異質(zhì)結(jié)材料。應(yīng)用協(xié)變襯底可以將晶格和熱失配的缺陷局限在襯底上，并且為開辟新的材料體系打下基礎(chǔ)。已提出了多種協(xié)變襯底的制備技術(shù)，例如，自支撐襯底、鍵合與扭曲鍵合、重位晶格過渡層，以及SOI和VTE襯底技術(shù)等。預(yù)計，在今后的10~20年中，大尺寸的、協(xié)變襯底的制備技術(shù)將獲得突破，并且廣泛應(yīng)用于大失配異質(zhì)結(jié)材料生長及其相聯(lián)系的光電子器件制造。

　　同時，他認(rèn)為GaN同質(zhì)化襯底LED，他指出，在不久的將來，GaN同質(zhì)化襯底LED將會取代第一代LED，即藍(lán)寶石、碳化硅、硅襯底LED。這將會大大降低LED照明的總成本并且有助于光品質(zhì)的提升，進(jìn)而加速LED技術(shù)的普及和應(yīng)用。

　　中村修二表示，用于激光照明的GaN襯底LED有著非常光明的前景，因激光照明沒有光衰，將是未來的大勢所趨。