(2)倒裝PN結(jié)到環(huán)境熱阻低。隨著電流的增加，由于熱阻原因芯片溫度隨之升高，從而增加了載流子的非輻射復(fù)合幾率，降低了輻射復(fù)合幾率，造成發(fā)光效率下降。熱阻越高，芯片升溫越高，發(fā)光效率下降越快。倒裝的PN結(jié)與支架的正負(fù)極采用共晶焊接，熱傳輸距離短，散熱面積大，更利于熱傳導(dǎo)，因此可以得到較低的熱阻值，降低PN結(jié)溫，從而減慢光效下降速度。這與光通量隨電流變化實(shí)驗(yàn)結(jié)果吻合。

　　3.3 色溫測(cè)試

　　色溫是光源光譜質(zhì)量最通用的指標(biāo)。對(duì)于LED光源的需求色溫多數(shù)都是比較低的，并且對(duì)于同一批次的產(chǎn)品而言，色溫偏差越小，質(zhì)量越優(yōu)。對(duì)色溫的控制研究，一直都是企業(yè)滿足顧客需求的關(guān)鍵參數(shù)。

　　圖6為三種封裝結(jié)構(gòu)LED的電流色溫曲線對(duì)比圖。通過(guò)實(shí)驗(yàn)測(cè)試，隨著驅(qū)動(dòng)電流的升高，三種封裝結(jié)構(gòu)LED色溫都隨著電流的增加而升高，而倒裝LED的色溫升高斜率最小約為0.40，正裝LED的色溫升高斜率約為0.67，而垂直結(jié)構(gòu)LED在電流小于1 200 mA(光通量飽和點(diǎn))時(shí)色溫增加斜率約為0.84，超過(guò)1 200 mA時(shí)，色溫參數(shù)接近失效，這與光通量測(cè)試和發(fā)光效率測(cè)試結(jié)果吻合。倒裝LED的色溫飽和點(diǎn)約為1 600 mA，比垂直結(jié)構(gòu)LED的色溫飽和點(diǎn)高出400 mA。說(shuō)明倒裝LED在較大電流沖擊情況下，光輸出特性比垂直結(jié)構(gòu)LED穩(wěn)定。

　　4、結(jié)論

　　采用相同尺寸1.16 mm GaN基藍(lán)光芯片制備了倒裝結(jié)構(gòu)LED和垂直結(jié)構(gòu)LED，用STC4000快速光譜儀和恒流電源測(cè)試了兩種LED在不同驅(qū)動(dòng)電流條件下的光通量、發(fā)光效率和色溫等發(fā)光特性，發(fā)現(xiàn)垂直結(jié)構(gòu)LED在超過(guò)1 200 mA電流時(shí)出現(xiàn)發(fā)光性能失效，而倒裝LED的發(fā)光性能失效的電流值在1 550 mA。倒裝結(jié)構(gòu)LED失效電流值的增加，使得LED的可靠性能增加，提高了LED的使用壽命。