S4: 第三代半導(dǎo)體與微波射頻技術(shù)
第三代半導(dǎo)體氮化鎵微波器件具備高頻、高效、大功率等特點(diǎn)，在新一代移動(dòng)通信中應(yīng)用潛力巨大。這一特定領(lǐng)域的突破標(biāo)志著寬禁帶半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)邁向新的高地。本分會(huì)的主題涵蓋氮化鎵微波器件及其單片集成電路材料外延、建模、設(shè)計(jì)與制造、可靠性技術(shù)及其在移動(dòng)通信中的應(yīng)用等各方面。擬邀請(qǐng)國(guó)內(nèi)外知名專(zhuān)家參加會(huì)議，呈現(xiàn)第三代半導(dǎo)體微波器件及其應(yīng)用的最新進(jìn)展。
征文方向：
高性能微波GaN器件技術(shù)
用于高性能微波器件的GaN外延技術(shù)
GaN微波集成電路技術(shù)
GaN微波器件及工藝的可靠性
GaN微波器件的大信號(hào)等效電路模型與物理模型
GaN器件和電路在移動(dòng)通信中的應(yīng)用
分會(huì)主席：
蔡樹(shù)軍--中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第十三研究所副所長(zhǎng)
張乃千--蘇州能訊高能半導(dǎo)體有限公司董事長(zhǎng)
分會(huì)委員：
陳堂勝——中電集團(tuán)首席科學(xué)家、中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第五十五研究所副總工程師
劉新宇--中科院微電子研究所副所長(zhǎng)
劉建利--中興通訊股份有限公司功放總工
張進(jìn)成--西安電子科技大學(xué)教授
陶國(guó)橋--荷蘭Ampleon Netherlands B.V. 可靠性首席工程師
S5: 第三代半導(dǎo)體固態(tài)紫外器件技術(shù)
第三代半導(dǎo)體材料在紫外器件中具備其他半導(dǎo)體材料難以比擬的優(yōu)勢(shì)，展現(xiàn)出巨大的應(yīng)用潛力。本分會(huì)將重點(diǎn)兲注以氮化鋁鎵、氮化鎵為代表的紫外發(fā)光材料，以碳化硅、氮化鎵為代表的紫外探測(cè)材料，高效量子結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)及外延，以及發(fā)光二極管、激光器、光電探測(cè)器等核心器件的兲鍵制備技術(shù)。分會(huì)還將涵蓋紫外器件的先迚封裝材料及技術(shù)，包括光提取、熱管理及器件可靠性的提升方法。分會(huì)面向全球廣泛征集優(yōu)秀研究成果，并將邀請(qǐng)多名國(guó)際知名與家參加本次會(huì)議，力圖全面呈現(xiàn)第三代半導(dǎo)體紫外發(fā)光和探測(cè)領(lǐng)域在材料、器件、封裝及應(yīng)用等各層面的國(guó)內(nèi)外最新迚展。
征文方向：
AlN和其他紫外光電器件用新型襯底材料
紫外發(fā)光與探測(cè)材料的設(shè)計(jì)和外延生長(zhǎng)
高Al組分AlGaN的p型摻雜
高效紫外發(fā)光器件
高靈敏度紫外探測(cè)與成像器件
紫外光源封裝與模組的光提取、熱管理及可靠性
紫外光源與探測(cè)器應(yīng)用新進(jìn)展
分會(huì)主席：
沈 波--北京大學(xué)理學(xué)部副主任、教授
張 韻--中科院半導(dǎo)體研究所所長(zhǎng)助理、研究員
分會(huì)委員：
劉國(guó)旭--易美芯光(北京)科技有限公司執(zhí)行副總裁兼首席技術(shù)官
陸 海--南京大學(xué)教授
S6: 超寬禁帶半導(dǎo)體及其他新型半導(dǎo)體材料分會(huì)
以金剛石、氧化鎵、氮化鋁、氮化硼等為代表的超寬禁帶半導(dǎo)體材料的研究和應(yīng)用，近年來(lái)不斷獲得技術(shù)的突破。超寬帶半導(dǎo)體材料具有更高的禁帶寬度、熱導(dǎo)率以及材料穩(wěn)定性，在新一代深紫外光電器件、高壓大功率電力電子器件等意義重大的應(yīng)用領(lǐng)域具有顯著的優(yōu)勢(shì)和巨大的發(fā)展?jié)摿Α１痉謺?huì)著重研討超寬禁帶半導(dǎo)體材料的制備、工藝技術(shù)、關(guān)鍵設(shè)備及半導(dǎo)體器件應(yīng)用，旨在搭建產(chǎn)業(yè)、學(xué)術(shù)、資本的高質(zhì)量交流平臺(tái)，共同探討超寬禁帶半導(dǎo)體材料及器件應(yīng)用發(fā)展的新技術(shù)、新趨勢(shì)，積極推動(dòng)我國(guó)超寬禁帶半導(dǎo)體材料和器件應(yīng)用的發(fā)展。
分會(huì)將邀請(qǐng)國(guó)內(nèi)外知名專(zhuān)家參加本次會(huì)議，呈現(xiàn)超寬帶半導(dǎo)體及其它新型寬禁帶半導(dǎo)體材料與器件研究應(yīng)用的最新迚展。
征文方向：
超寬禁帶半導(dǎo)體材料關(guān)鍵設(shè)備制造技術(shù)
超寬禁帶半導(dǎo)體材料制備技術(shù)及其物性研究
超寬禁帶半導(dǎo)體材料電力電子器件技術(shù)
超寬禁帶半導(dǎo)體材料光電子器件技術(shù)
其他新型半導(dǎo)體材料物性研究與應(yīng)用技術(shù)
分會(huì)主席：
劉 明--中科院微電子所教授、中國(guó)科學(xué)院院士
張 榮--山東大學(xué)校長(zhǎng)、南京大學(xué)教授
分會(huì)委員：
陶緒堂--山東大學(xué)晶體材料國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室主任
王宏興--西安交通大學(xué)教授
徐 軍--同濟(jì)大學(xué)教授
SSLCHINA2017方向(同期會(huì)議)
P201-材料與裝備技術(shù)
P202-芯片、封裝與模組技術(shù)
P203-可靠性與熱管理技術(shù)
P204-驅(qū)動(dòng)、智能與控制技術(shù)
P205-生物農(nóng)業(yè)光照技術(shù)
P206-光品質(zhì)與健康醫(yī)療照明技術(shù)
P207-新型顯示與照明技術(shù)
征文流程
1.作者提交論文擴(kuò)展摘要(Extended Abstract)。
2.通知作者投稿錄用方式：口頭報(bào)告、POSTER與入刊會(huì)議論文集等。
3.作者依據(jù)組委會(huì)的錄用通知準(zhǔn)備材料：
1)口頭報(bào)告：作者需準(zhǔn)備論文與演示文件(PPT/PDF);2)POSTER：作者需準(zhǔn)備論文與POSTER文件(組委會(huì)將對(duì)POSTER進(jìn)行編號(hào)并告知作者。作者攜帶制作好的POSTER至?xí)h舉辦地點(diǎn)并按照編號(hào)在POSTER展示區(qū)域自行張貼)3)入刊會(huì)議論文集：作者需準(zhǔn)備論文。作者需要根據(jù)論文模板準(zhǔn)備論文全文。
注：
1)官方網(wǎng)站(http://www.ifws.org.cn/en/paper/)提供模板下載，請(qǐng)作者務(wù)必按照相應(yīng)模板和時(shí)間要求準(zhǔn)備材料，以便順利通過(guò)論文審核。
2)優(yōu)質(zhì)論文會(huì)被遴選在IEEE Xplore Digital Library發(fā)表，IEEE是EI檢索系統(tǒng)的合作數(shù)據(jù)庫(kù)。
征文要求
1.基本要求：
1) 尚未在國(guó)內(nèi)外公開(kāi)刊物或其他學(xué)術(shù)會(huì)議上發(fā)表過(guò)的論文。
2) 主題突出，內(nèi)容層次分明，數(shù)據(jù)準(zhǔn)確，論述嚴(yán)謹(jǐn)，結(jié)論明確，采用法定計(jì)量單位。
2.摘要要求：
投稿者需按照組委會(huì)提供的模板編寫(xiě)擴(kuò)展摘要。
3.全文要求：
按照組委會(huì)提供的模板排版全文，論文全文格式要求為WORD，內(nèi)容不超過(guò)4頁(yè)。
4.語(yǔ)言要求：
1) 作者須提交文體規(guī)范的英文摘要/POSTER/論文;2) 演講語(yǔ)言可以使用中文或英文，但必須用英文演示(PPT或PDF文檔)。
注：含有商業(yè)性宣傳內(nèi)容的論文，不予安排在論壇演講。
征文摘要模板及征文通知下載：
IFWS2017-摘要模板-Abstract-Template.doc
IEEE版權(quán)協(xié)議書(shū)-IEEE-concent-form.doc
重要期限及提交方式
1.論文摘要提交截止日期：2017年6月15日
2.論文摘要錄用通知：2017年7月3日
3.論文全文提交截止日期：2017年9月15日
4.論文全文錄用通知：2017年9月30日
5.口頭報(bào)告演示文件(PPT或PDF)與POSTER電子版提交截止日：2017年10月15日
投稿請(qǐng)聯(lián)系：
白璐(Lu BAI)
電話(huà)：010-82387600-602
郵箱：papersubmission@china-led.net
