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華燦光電108億投建先進半導體與器件項目

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2018-02-23 作者: 來源:中證網 瀏覽量: 網友評論: 0
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摘要: 華燦光電2月22日早間公告,公司與義烏信息光電高新技術產業園區管理委員會(以下簡稱“園區管委會”),就在義烏信息光電高新技術產業園區投資建設先進半導體與器件項目簽署《華燦光電先進半導體與器件項目投資框架協議》。

  華燦光電2月22日早間公告,公司與義烏信息光電高新技術產業園區管理委員會(以下簡稱“園區管委會”),就在義烏信息光電高新技術產業園區投資建設先進半導體與器件項目簽署《華燦光電先進半導體與器件項目投資框架協議》。

  項目內容包括:①LED 外延及芯片;②藍寶石襯底;③紫外 LED;④紅外LED;⑤microLED;⑥MEMS 傳感器;⑦垂直腔面發射激光器(VCSEL)⑧氮化鎵(GaN)基激光器;⑨氮化鎵(GaN)基電力電子器件等先進半導體與器件項目,項目計劃總投資 108 億元,項目總建設周期預計為 7 年。

  公司稱,該協議的簽署,符合公司的戰略發展需要,有利于提升未來發展空間,為公司未來的發展注入動力。該項目如順利實施將有助于公司的業務拓展,為公司持續發展提供支持和保障,通過積累項目的建設和運營經驗,提升公司的核心競爭力和行業影響力。


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