科銳宣布與荷蘭Nexperia公司簽署非排他性、全球性的付費(fèi)專利許可協(xié)議。通過這一協(xié)議，Nexperia將有權(quán)使用科銳GaN氮化鎵功率器件專利組合，包括了超過300項(xiàng)已授權(quán)美國和國外專利，涵蓋了HEMT(高電子遷移率場效晶體管)和GaN氮化鎵肖特基二極管的諸多創(chuàng)新。這一專利組合針對新型器件結(jié)構(gòu)、材料和工藝提升，以及封裝技術(shù)。這一專利授權(quán)不包括技術(shù)轉(zhuǎn)讓。
科銳聯(lián)合創(chuàng)始人兼Wolfspeed首席技術(shù)官John Palmour表示：“科銳創(chuàng)立以來，對包括GaN氮化鎵和SiC碳化硅在內(nèi)的新型化合物半導(dǎo)體材料進(jìn)行了深入研究，并利用它們的獨(dú)特性能開發(fā)出新型器件。基于科銳數(shù)十年創(chuàng)新成果的器件，幫助實(shí)現(xiàn)新型電源管理和無線系統(tǒng)的市場導(dǎo)入。為了加速這類新市場的增長，科銳正在對用于GaN氮化鎵電源管理系統(tǒng)的GaN氮化鎵功率器件專利開展授權(quán)。”
