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雷軍看好的氮化鎵技術,三安、華燦、國星等都在做

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2020-03-03 作者: 來源:高工LED 瀏覽量: 網友評論: 0
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摘要: 手機大廠的表態,帶動了國內相關的LED企業。就在小米發布會結束的第二天,三安光電盤中上漲超7%、士蘭微盤中上漲超8%。事實上,關于氮化鎵,三安、華燦、士蘭微、國星等LED大廠早已進行了多方布局。

2020年2月13日,小米通過線上直播的形式,面向百萬觀眾,正式發布了小米10Pro系列手機以及部分配件產品。其中,小米65W氮化鎵(GaN)充電器成為本次發布會的一大重要亮點。

  “氮化鎵是第三代半導體材質,它具有超強導熱效率、耐高溫、耐酸堿等特性,關鍵在于它可以做到普通充電器近1/3大小尺寸,具有非常好的便攜性。”發布會上小米董事長雷軍介紹。同時,雷軍還在微博上多次科普氮化鎵充電器的好處。

  看中氮化鎵的不止小米。在2019年9月,OPPO就發布了65W基于SuperVOOC 2.0技術的氮化鎵快充,這也是品牌手機廠商首次將氮化鎵快充作為標配。此外據TechRadar報道報道,目前,蘋果、三星、華為也計劃在今年推出基于氮化鎵技術的充電器。

  手機大廠的表態,帶動了國內相關的LED企業。就在小米發布會結束的第二天,三安光電盤中上漲超7%、士蘭微盤中上漲超8%。事實上,關于氮化鎵,三安、華燦、士蘭微、國星等LED大廠早已進行了多方布局。

  三安光電

  三安光電主營業務之一,就是以氮化鎵為主要材料,進行外延片、芯片以及射頻HBT產品的制造銷售。近兩年,三安光電圍繞這一業務,進行了多項大手筆投資。

  2019年,三安光電投入120億元在湖北省鄂州市葛店經濟技術開發區投建Mini/Micro LED顯示芯片產業化項目。公司稱,項目建成后預計氮化鎵芯片系列年產161萬片;同年11月,三安光電又發起138億元募投項目,用于三大板塊研發建設,其中就包含氮化鎵LED襯底、外延、芯片業務。

  今年2月,三安光電在投資者互動平臺上表示,公司集成電路氮化鎵產品一直在進行產能擴張,目前相關產能約2000片每月。

  華燦光電

  公開資料顯示,華燦光電主營產品之一就是GaN基高亮度藍、綠光LED芯片,可廣泛應用于全彩顯示屏、背光源及照明等中高端應用領域。

  2018年2月,華燦光電發布公告稱,與浙江義烏工業園區管理委員會簽署了108億元的項目投資框架協議,發力9項先進半導體與器件項目,其中就包括氮化鎵基激光器與氮化鎵基電力電子器件。

  2019年11月,華燦光電獲批浙江省第三代半導體材料與器件重點實驗室。據華燦光電介紹,公司技術中心由數十位具有資深化合物半導體專業背景和豐富產業經驗的歸國博士、臺灣專家及資深業內人士組成,在第三代半導體材料和器件領域的技術開發方面具有豐富經驗。公司當時表示,將持續加大產品研發投入和技術創新,積極布局第三代半導體材料和器件領域,最快或于2020年實現批量生產。

  乾照光電

  據了解,乾照光電在氮化鎵光電器件領域有著多年研發和生產經驗。2018年,乾照光電基本建成國內最大單體氮化鎵LED器件生產基地。乾照光電當時表示,隨著產能的不斷拉升,公司將新增60萬片/月的氮化鎵LED外延片和芯片產能,相關總產能達到100萬片/月。2019年,乾照光電在投資者平臺上稱,在氮化鎵層面,Mini LED第二代產品已完成性能優化,今年8月已與相關客戶進行配合驗證。

  聚燦光電

  2020年2月,聚燦光電在投資者平臺上明確表示,公司主要產品為氮化鎵基高亮度藍光LED芯片及外延片,主要用于藍、綠光LED芯片的制造,目前未用于射頻前端。

  士蘭微

  2017年12月,士蘭微子公司廈門士蘭明鎵總投資50億元,建設4英寸、6英寸的化合物芯片生產線,用于砷化鎵、氮化鎵產品的制造。項目一期計劃2021年達產,二期計劃2021年啟動,2024年達產。

  2019年12月,生產線正式試產,其中氮化鎵芯片產品已于12月10日正式通線點亮。士蘭微表示,該產線項目計劃7款產品逐步投入量產,并力爭2020年產值達2億元。

  臺積電

  相關資料顯示,晶圓代工大廠臺積電在氮化鎵工藝上有著長期積累。2017年,公司與氮化鎵專業生產商VisIC Technologies,就其用于硅技術的氮化鎵達成生產合作協議。

  2020年2月,臺積電又宣布與意法半導體合作開發GaN,通過此次合作,意法半導體創新的戰略性氮化鎵產品將采用臺積電領先業界的GaN制造工藝。意在瞄準未來電動車應用。意法半導體預計,今年晚些時候會將首批樣品交給主要客戶。

  國星光電

  國星光電近期在互動平臺上表示,公司旗下國星半導體主營業務就是以藍寶石氮化鎵基及硅基襯底為材料的LED芯片,其中氮化鎵基產品包含藍綠顯屏芯片,數碼用芯片,白光照明芯片,車燈用大功率倒裝芯片,UVA紫光芯片等。

  另據國星光電透露,近日其美國子公司RaySent科技公司將相關硅襯底GaN外延及垂直結構LED芯片的主要技術已轉移給國星半導體,由國星半導體在應用場景繼續進行上述技術的研發和產業化推進。目前,國星半導體已申請氮化鎵專利200多篇,其中硅基氮化鎵技術專利4篇。

  從上述情況能夠看到,氮化鎵正在成為LED行業頭部企業的“新寵”,尤其是上游LED芯片廠,幾乎悉數瞄準了這一方向。IHS Markit市場研究報告預測,GaN功率元件的市場增長快速,預計到2026年市場規模將超十億美元,除5G通訊市場外,汽車和工業市場正是其主要驅動力。面對廣闊的市場前景,LED行業關于第三代半導體的攻防戰或將上演。


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