8日消息，據報道，投資50億元，建設用地約1000畝的中國電科（山西）電子信息科技創新產業園在山西轉型綜改示范區正式投產。

人民網報道稱，該項目計劃用5年時間，建成“一中心三基地”，即：中國電科(山西)碳化硅材料產業基地、中國電科(山西)電子裝備智能制造產業基地、中國電科（山西）三代半導體技術創新中心、中國電科（山西）光伏新能源產業基地。項目達產后，預計形成產值100億元。

山西臺記者劉洋在報道中指出，這個碳化硅基地一期共有300臺設備，單月產值就能突破一億元。項目全部建成后，將成為國內最大的碳化硅材料供應基地，而這個1000畝的產業園將串聯起山西轉型綜改示范區上下游十多個產業，帶動山西半導體產業集群迅速發展，實現中國碳化硅的完全自主供應。

大禁帶寬度、高臨界擊穿場強、高電子遷移率、高熱導率，是第三代半導體碳化硅單晶材料最響亮的“名片”，不過，碳化硅單晶的制備一直是全球性難題，而高穩定性的長晶工藝技術是其核心。而在中國，碳化硅單晶襯底材料長期依賴進口，其高昂的售價和不穩定的供貨情況大大限制了國內相關行業的發展。

山西爍科晶體有限公司總經理李斌稱：碳化硅是一個非常關鍵的半導體的原材料，整個從山西來說，能帶動一個50到100億元的產業鏈，現在大家都在搶占這個時間點，我們現在就是要爭分奪秒把這個時間節點抓住，一方面抓好疫情防控，一方面抓好復工復產，真正把這個產業鏈的制高點抓在我們自己手里，落地在山西。··

據了解，自2007年，中國電科2所開始著手布局碳化硅單晶襯底材料的研制規劃，目前已經掌握了高純碳化硅粉料制備工藝、4英寸高純半絕緣碳化硅單晶襯底的制備工藝，形成了從碳化硅粉料制備、晶體生長、晶片加工、外延驗證等整套碳化硅材料研制線，在國內最早實現了高純碳化硅材料、高純半絕緣晶片量產。