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年產3000萬顆深紫外LED芯片,中科潞安一期項目預計8月全部竣工驗收

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2020-04-08 作者: 來源:集微網 瀏覽量: 網友評論: 0
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摘要: 據潞安集團官方消息,中科潞安紫外光電公司負責人表示,預計2020年8月底完成車間二樓封裝中試線建設,一期3000萬顆芯片生產線項目全部竣工驗收,同時開展二期3億顆項目的前期準備,爭取下半年開工建設。

近日,山西中科潞安紫外光電項目,又傳來了新進展。

據潞安集團官方消息,中科潞安紫外光電公司負責人表示,預計2020年8月底完成車間二樓封裝中試線建設,一期3000萬顆芯片生產線項目全部竣工驗收,同時開展二期3億顆項目的前期準備,爭取下半年開工建設。

此外,中科潞安將進行“氮化鋁單晶生長和襯底技術研究”、“紫外LED應用產品開發”、“公共衛生安全殺菌消毒應用技術研究”等一系列研發工作全力攻堅;完成紫外半導體光電產業投資基金設立,首期募資10億元,推動長治光電產業集群建設。

中科潞安紫外項目于2018年4月啟動,由長治市政府、中國科學院半導體研究所、潞安集團合作組建山西中科潞安半導體技術研究院,研究院主要開展芯片核心技術研發、封裝技術研發與產業化、應用技術研發與工業設計、產品檢驗檢測、行業標準制定等業務,并與政府相關部門共同組建“紫外光電產業雙創孵化基地”。

據中科潞安官微2019年消息顯示,中科潞安深紫外LED項目分兩期建設,總投資約20億元。其中,一期工程為年產3000萬顆紫外LED芯片項目,投資5.4億元;二期工程為年產2億顆紫外LED芯片項目,投資15億元。結合最新官方消息來看,其二期項目紫外LED芯片年產目標或進行提升。


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