近期，廣東省科技創新大會公布了2019年度廣東省科學技術獎獲獎名單，惠州雷士光電科技有限公司與華南理工大學材料科學與工程學院、中國電子科技集團公司第十八研究所等企事業單位聯合完成的“III-V族化合物半導體材料及器件的界面調控技術”項目獲得省科學技術發明獎一等獎。

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III-V族化合物半導體是國家在先進材料領域重點發展的戰略方向，所制備的半導體器件在國民經濟和國防建設等領域發揮至關重要的作用。然而，界面問題貫穿于“材料生長→結構設計→器件制程”的全線程，是實現高性能器件的關鍵挑戰。

雷士照明科研團隊通過產學研協同攻關，發明III-V族半導體的低溫外延生長技術、設計多種異質界面結構以及高效的晶圓鍵合和襯底轉移技術，解決了III-V族化合物半導體材料與器件的界面問題。采用該技術，項目組研制了多種新型高性能III-V族半導體器件，并已應用于多家國內知名企業的生產中：“量產的Si襯底上垂直結構大功率LED芯片，光效超過200 lm/W@350 mA；量產的型號衛星用GaAs多節太陽電池，光電轉換效率高達31.64%；5G通信用單晶AlN高性能FBAR濾波器，插入損耗低至1.9 dB”。產品性能均不同程度優于國內外同類產品，已分別應用于國內外多項重大照明工程、空間衛星及載人空間站等國家航天戰略工程、中興和華為的通信基站，近三年累計新增銷售逾 32 億元（直接效益 17.8 億元、間接效益 14.8 億元） ，推動了我國的國民經濟發展和國防建設。

本項目技術是適用于不同 III-V 族化合物半導體器件研發與生產的通用發明技術。相關技術在雷士照明、 華為、 中興通訊、 創維、 上海空間電源研究所（811所） 、中電科 55、 18 及 7 所等單位開展了“產學研”合作，擺脫了國外在相關核心技術上的封鎖，解決了我國多項“卡脖子”技術難題， 實現了 III-V 族化合物半導體材料與器件的產業化。

雷士照明將以此為契機，繼續深耕科研創新工作，在照明科技領域為世界帶來更多的驚喜和可能！