中國統(tǒng)一戰(zhàn)線新聞網(wǎng)聯(lián)合中國共產(chǎn)黨新聞網(wǎng)推出的“2020年全國兩會各民主黨派提案選登”報道顯示，民進中央擬提交“關于推動中國功率半導體產(chǎn)業(yè)科學發(fā)展的提案”。

近年來，國家出臺了一系列政策措施支持和推動半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展，取得了較為突出的成效，已基本完成了產(chǎn)業(yè)鏈的布局，且在功率半導體領域呈現(xiàn)多點開花的良好形勢。

但提案注意到，當前從全球功率半導體市場看，一方面?zhèn)鹘y(tǒng)的硅材料功率半導體仍然有巨大的發(fā)展空間，有研 究顯示全球市場的碳化硅及氮化鎵等新材料功率半導體芯片市場應用量是約3億多美金，硅材料功率半導體芯片市場應用量超過200億美金。

國際市場的 IGBT 芯片主流是硅材料5代、6代及7代產(chǎn)品，國際功率半導體行業(yè)認為，硅材料功率半導體材料已經(jīng)有30多年的大規(guī)模市場應用驗證，穩(wěn)定可靠，價格低，尚有技術發(fā)展空間等特點，在未來至少7至8年左右仍是市場應用主流。

另一方面以碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）為代表的第三代半導體材料正蓬勃發(fā)展，而我國碳化硅、氮化鎵功率半導體器件研發(fā)起步晚，在技術上仍有很大差距。可喜的是，在國家多項科研計劃的扶持下，這方面已經(jīng)大幅縮小了與國際的技術差距，并取得了不少成就。

根據(jù)提案，隨著工業(yè)、汽車、無線通訊和消費電子等領域新應用的不斷涌現(xiàn)以及節(jié)能減排需求日益迫切，我國功率半導體有龐大的市場需求，容易催生新產(chǎn)業(yè)新技術，在國家政策利好下，功率半導體將成為“中國芯”的最好突破口。為此，建議：

一、進一步完善功率半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展政策，大力扶持硅材料功率半導體芯片技術攻關，立項支持硅材料功率半導體材料、芯片、器件等設計和制造工藝流程技術。經(jīng)過多年布局和發(fā)展，我國在硅材料 IGBT芯片技術方面有一定的技術基礎和沉淀，可以將集中突破硅材料6代功率芯片產(chǎn)品設計及批量制造工藝技 術作為發(fā)展重點，采取先易后難、解決“有無”問題的發(fā)展策略，盡快實現(xiàn)功率半導體芯片自主供給。

二、加大新材料科技攻關。大數(shù)據(jù)傳輸、云計算、AI 技術、物聯(lián)網(wǎng)，包括下一步的能源傳輸，對網(wǎng)絡傳輸速度及容量提出了越來越高的要求，大功率芯片的市場需求非常大。從產(chǎn)業(yè)發(fā)展趨勢看，碳化硅、氮化鎵等新材料應用于功率半導體優(yōu)勢明顯，是下一代功率半導體的核心技術方向。

目前碳化硅、氮化鎵市場處于起步階段，國內廠商與海外傳統(tǒng)巨頭之間差距較小，國內企業(yè)有望在本土市場應用中實現(xiàn)彎道超車。

一是要把功率半導體新材料研發(fā)列入國家計劃，全面部署，竭力搶占戰(zhàn)略制高點。

二是引導企業(yè)積極滿足未來的應用需求，進行前瞻性布局。推動功率半導體龍頭企業(yè)著力攻克一批產(chǎn)業(yè)發(fā)展關鍵技術、應用技術難題，在國際競爭中搶占先機。

三是要避免對新概念的過熱炒作。新材料從發(fā)現(xiàn)潛力到產(chǎn)業(yè)化，需要建立起高效的產(chǎn)學研體系，打造更加開放包容的投資環(huán)境。

三、謹慎支持收購國外功率半導體企業(yè)。通過收購很難實現(xiàn)完全學會和掌握國際先進的功率半導體芯 片設計及制造工藝技術，同時海外工廠制造的產(chǎn)品仍然存在著無法出口到中國的危險。