6月16日晚間，三安光電發(fā)布公告稱(chēng)，公司擬160億元在長(zhǎng)沙投資半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目。

公告顯示，公司決定在長(zhǎng)沙高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開(kāi)發(fā)區(qū)管理委員會(huì)園區(qū)成立子公司，投資建設(shè)包括但不限于碳化硅等化合物第三代半導(dǎo)體的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目，包括長(zhǎng)晶-襯底制作-外延生長(zhǎng)-芯片制備-封裝產(chǎn)業(yè)鏈，投資總額160億元。

最新進(jìn)度顯示，6月15日，三安光電已與長(zhǎng)沙高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開(kāi)發(fā)區(qū)管理委員會(huì)簽署《項(xiàng)目投資建設(shè)合同》。根據(jù)計(jì)劃，三安光電將在用地各項(xiàng)手續(xù)和相關(guān)條件齊備后24個(gè)月內(nèi)完成一期項(xiàng)目建設(shè)并實(shí)現(xiàn)投產(chǎn)，48個(gè)月內(nèi)完成二期項(xiàng)目建設(shè)和固定資產(chǎn)投資并實(shí)現(xiàn)投產(chǎn)，72個(gè)月內(nèi)實(shí)現(xiàn)達(dá)產(chǎn)。

對(duì)于具體開(kāi)發(fā)建設(shè)的產(chǎn)品，三安光電方面表示，主要研發(fā)、生產(chǎn)及銷(xiāo)售6吋SIC導(dǎo)電襯底、4吋半絕緣襯底、SIC二極管外延、SiCMOSFET外延、SIC二極管外延芯片、SiCMOSFET芯片、碳化硅器件封裝二極管、碳化硅器件封裝MOSFET等。對(duì)于此次投資，三安光電方面認(rèn)為：“第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)園項(xiàng)目有著廣闊的市場(chǎng)需求，現(xiàn)處于發(fā)展階段。本次投資項(xiàng)目符合國(guó)家產(chǎn)業(yè)政策規(guī)劃，符合公司產(chǎn)業(yè)發(fā)展方向和發(fā)展戰(zhàn)略，有利于提升公司行業(yè)地位及核心競(jìng)爭(zhēng)力。”

事實(shí)上，近年來(lái)三安光電在半導(dǎo)體領(lǐng)域的“大手筆”投資一直備受業(yè)界關(guān)注。

2017年12月，總投資高達(dá)333億元的三安高端半導(dǎo)體系列項(xiàng)目在泉州市“泉州芯谷”南安園區(qū)啟動(dòng)，該工程涵蓋高端氮化鎵LED襯底、外延、芯片的研發(fā)與制造產(chǎn)業(yè)化等七大項(xiàng)目。計(jì)劃五年內(nèi)實(shí)現(xiàn)投產(chǎn)、七年內(nèi)達(dá)產(chǎn)，經(jīng)營(yíng)期限不少于25年，將實(shí)現(xiàn)年銷(xiāo)售收入270億元、稅收30億元。經(jīng)濟(jì)觀察網(wǎng)記者獲得的最新消息顯示，目前，泉州三安項(xiàng)目購(gòu)買(mǎi)的設(shè)備陸續(xù)到廠，已有部分設(shè)備安裝完成，進(jìn)入調(diào)試階段，待調(diào)試完成后將逐步釋放產(chǎn)能。

與在半導(dǎo)體領(lǐng)域投資的高飛猛進(jìn)相對(duì)應(yīng)，是近年來(lái)三安光電在經(jīng)營(yíng)業(yè)績(jī)上的承壓。受累于LED芯片市場(chǎng)價(jià)格戰(zhàn)，特別是去年前三季度產(chǎn)品價(jià)格的大幅下滑，2019年，盡管三安光電在LED芯片領(lǐng)域銷(xiāo)售數(shù)量相比2018年同期保持增長(zhǎng)，但業(yè)績(jī)卻出現(xiàn)大幅下滑。財(cái)務(wù)數(shù)據(jù)顯示，2019年三安光電實(shí)現(xiàn)營(yíng)業(yè)收入74.60億元，同比下降10.81%；歸屬于母公司股東的凈利潤(rùn)為12.98 億元，同比下降54.12%。