日前，MicroTech公司開(kāi)發(fā)了一種用于制備藍(lán)寶石圖形襯底的濕法處理工作站，通過(guò)工作站大批量腐蝕藍(lán)寶石，增加高亮度LED的光提取和外量子效率。這一濕法刻蝕工藝可以大規(guī)模提高產(chǎn)量以降低成本，生產(chǎn)成本是目前LED與熒光燈照明競(jìng)爭(zhēng)的主要阻礙。對(duì)于LED制造商成本的降低，PSS襯底的使用變的非常重要，PSS上的LED的平均光輸出功率相比常規(guī)藍(lán)寶石襯底上提高了37%，PSS的使用既降低了GaN外延層的位錯(cuò)密度，提高了LED光提取效率。

　　傳統(tǒng)的干法刻蝕PSS圖形襯底對(duì)增加LED效率很有效，但產(chǎn)量較低，可控性受襯底尺寸增加的影響很多，晶片尺寸增加時(shí)需要更多的刻蝕工具來(lái)維持產(chǎn)量。在MicroTech系統(tǒng)的濕法刻蝕過(guò)程比較簡(jiǎn)單，采用PECVD在藍(lán)寶石晶片上沉積一層圖形SiO2掩膜，光刻曝光要刻蝕的圖形，然后把晶片浸入裝有刻蝕劑和緩沖劑的刻蝕槽中。寶石刻蝕過(guò)程在260℃和300℃之間進(jìn)行，這一超高溫比常規(guī)150-180℃腐蝕過(guò)程刻蝕速率快很多，因此顯著增加產(chǎn)量。中立的消費(fèi)者評(píng)估顯示這種PSS圖形襯底對(duì)LED的光提取和效率有顯著提高，即使在刻蝕后進(jìn)行晶片拋光仍然如此，同時(shí)成本也明顯下降。采用化學(xué)機(jī)械拋光以改善PSS晶片上的圓頂形狀的工作正在進(jìn)行中，同時(shí)新型的無(wú)圓錐形圖形也在發(fā)展中。

　　最近，MicroTech公司宣布將類似概念的腐蝕工作站運(yùn)用到太陽(yáng)能電池產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域，把傳統(tǒng)干法CVD過(guò)程替換為批量生產(chǎn)的、環(huán)境友好的濕法過(guò)程，實(shí)現(xiàn)高的生產(chǎn)量和低的成本。