科銳升級供GaN-on-SiC HEMT器件的工藝設計套件
摘要： 科銳無線射頻(RF)及微波部門總監 Jim Milligan表示：“最新的 PDK 能夠幫助無線射頻設計工程師，通過采用安捷倫公司2011年發布的 ADS(一款業界領先的電子設計自動化工具)，以實現科銳碳化硅襯底氮化鎵 MMIC 加工性能。
科銳公司(Nasdaq: CREE)宣布升級一款先進的工藝設計套件(PDK)，該款 PDK 基于安捷倫公司的 Advanced Design System(ADS)軟件，能夠為微波和無線射頻設計工程師提供研發碳化硅襯底氮化鎵(GaN-on-SiC)HEMT 器件的一整套設計和仿真工具。
該款 PDK 結合了安捷倫公司最新版的 ADS 以及科銳碳化硅襯底氮化鎵加工技術參數和設計規則，以幫助工程師縮短單片微波集成電路(MMIC)的研發時間。
科銳無線射頻(RF)及微波部門總監 Jim Milligan表示：“最新的 PDK 能夠幫助無線射頻設計工程師，通過采用安捷倫公司2011年發布的 ADS(一款業界領先的電子設計自動化工具)，以實現科銳碳化硅襯底氮化鎵 MMIC 加工性能。這種前后端集成的設計系統能夠提供高精確度且可擴展的非線性模型、參數化布局單元格、設計規則檢查、無縫布局互操作性以及有效地設計周期，從而加速客戶產品的上市進程。”
安捷倫 EEsof EDA 工廠項目經理 Juergen Hartung 表示：“通過此款聯合發布的PDK，安捷倫和科銳共同的客戶能夠同時獲得科銳先進的碳化硅襯底氮化鎵 MMIC 加工技術以及安捷倫的集成設計系統，并憑借此優勢生產出可應用于時下最具挑戰性應用領域中的可靠且領先的高功率 HEMT 器件。”
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