普瑞東芝共同研發出行業頂級8英寸硅基氮化鎵LED芯片
摘要： 該芯片僅1.1毫米，在電壓低于3.1V電流350mA時發射功率達 614mW。面對全球液晶面板和照明系統對LED芯片日益增長的需求，普瑞光電與東芝公司將進一步加快在這一領域的研發步伐。
領先的LED照明技術及解決方案開發商和制造商普瑞光電公司與世界領先的半導體制造商東芝公司今日宣布，在年初兩家公司達成合作協議短短幾個月后，兩家公司共同研發出了行業頂級8英寸硅基氮化鎵LED芯片。該芯片僅1.1毫米，在電壓低于3.1V電流350mA時發射功率達 614mW。面對全球液晶面板和照明系統對LED芯片日益增長的需求，普瑞光電與東芝公司將進一步加快在這一領域的研發步伐。
東芝公司注資普瑞光電，旨在共同開發固態照明(SSL)領域的創新技術。這項投資將進一步推進兩家公司在SSL行業的前進腳步，借助東芝公司的先進硅工藝和制造技術優勢，大幅提高普瑞光電公司硅基氮化鎵LED芯片技術的發展。
“東芝公司和普瑞光電早已在這項技術研發方面展開合作，此次注資使兩家公司建立為更具有戰略性的合作伙伴關系，將推動我們實現降低普通照明市場固態解決方案成本的共同目標。” 普瑞光電公司首席執行官Bill Watkins 表示。
“我們很高興通過我們與普瑞光電公司的研發合作獲得了前所未有的8英寸硅基氮化鎵LED性能。我們將繼續進行更先進的開發，并加速把我們的技術商品化。”東芝公司半導體和存儲產品公司副總裁兼執行副總裁Makoto Hideshima表示。
凡注明為其它來源的信息，均轉載自其它媒體，轉載目的在于傳遞更多信息，并不代表本網贊同其觀點及對其真實性負責。
用戶名： 密碼：
