科銳公司 (Cree, Inc) 宣布推出第二代碳化硅 (SiC) 功率MOSFET，是能夠使系統(tǒng)實現(xiàn)高效率及更小尺寸、以及高成本效益的硅解決方案。這新型1200V耐壓功率的MOSFET提供業(yè)界領先的功率密度和切換效率，每安培成本只有科銳前一代MOSFET產(chǎn)品的一半。從性價比上，新型的功率MOSFET是尺寸更小及重量更輕的碳化硅系統(tǒng)，通過提高效率及降低安裝成本，協(xié)助OEM客戶降低系統(tǒng)成本，并為終端用戶節(jié)省額外花費。

　　德國弗萊堡 (Freiburg) 行內著名的Fraunhofer研究院 (Fraunhofer-Institute) 專家Bruno Burger博士表示：“我們已經(jīng)在先進的太陽能電路中采用科銳第二代碳化硅功率MOSFET進行評估。它們擁有最好的效率，并能讓系統(tǒng)在較高切換頻率時運作，從而實現(xiàn)尺寸更小的被動元件，尤其是更小的電感器。這樣大大提高了太陽能逆變器的成本/效能折衷，有助開發(fā)更小、更輕及更高效的系統(tǒng)。”

　　在一些高功率應用上，這些新型SiC MOSFET的優(yōu)越性能可削減50%~70%所需額定電流。經(jīng)過妥當?shù)淖罴鸦螅蛻衄F(xiàn)在能以與以往的硅解決方案相同或更低的系統(tǒng)成本，獲得碳化硅性能上的優(yōu)勢。對于太陽能逆變器和不斷電系統(tǒng)(UPS)，效率會隨著尺寸和重量的減少而提升。在馬達驅動應用方面，可協(xié)助其功率密度增加一倍以上，同時提高工作效率，并較其它具有相同額定的硅解決方案提供多兩倍的最大扭矩。新產(chǎn)品提供的范圍已經(jīng)擴展到包含一個更大的25毫歐姆晶粒，鎖定30kW以上功率水準的高功率模組市場;而80毫歐姆元件則為第一代MOSFET提供更低成本、更高性能的升級方案。

　　科銳功率及射頻事業(yè)部副總裁及總經(jīng)理Cengiz Balkas表示：“有了這個新MOSFET平臺，我們在多個領域上都贏得客戶的導入設計。由于第二代SiC MOSFET受到迅速接納，我們不但提前為幾家客戶量產(chǎn)出貨，而且我們也正在依客戶要求加速量產(chǎn)。”

　　科銳現(xiàn)提供額定電阻為25毫歐姆及80毫歐姆的晶粒，前者作為50安培基本組件用于高功率模組;而80毫歐姆導功率MOSFET則采用TO-247封裝，以優(yōu)越性能及較低成本，取代科銳第一代產(chǎn)品CMF20120D。封裝元件可通過代理商DigiKey、Mouser和Farnell公司即可購得。

　　歡迎參觀于3月17日至3月21日期間在加州長灘市舉行的APEC會議，在科銳的展位#210上獲得更多關于這項新產(chǎn)品的相關內容。

　　關于科銳 (Cree)

　　科銳引領著LED照明變革，并利用節(jié)能的無汞LED照明產(chǎn)品來淘汰低效能源的傳統(tǒng)照明技術，科銳是照明級LED、LED照明，以及電源和射頻(RF)應用半導體產(chǎn)品的市場領先創(chuàng)新廠商。

　　科銳的產(chǎn)品系列包括LED燈具和燈泡、藍光和綠光LED芯片、高亮度LED、照明級大功率LED、功率開關元件和RF元件。科銳的產(chǎn)品正在推動通用照明、背光照明、電子顯示和訊號、電源和太陽能逆變器等應用的改進。