Vishay公司日前宣布，推出3顆采用小尺寸PowerPAK SO-8L封裝的N溝道器件---SiHJ8N60E、SiHJ6N65E和SiHJ7N65E，擴充其600V和650VE系列功率MOSFET。Vishay Siliconix 600V SiHJ8N60E和650V SiHJ6N65E、SiHJ7N65E更省空間，可替代TO-252(DPAK)封裝的MOSFET，具有高可靠性和小封裝電感，可用于照明、工業(yè)、電信、計算和消費應(yīng)用。

　　今天推出的MOSFET由Vishay Siliconix設(shè)計和開發(fā)，表面貼裝PowerPAK SO-8L封裝完全符合RoHS，無鹵素，無鉛。SiHJ8N60E、SiHJ6N65E和SiHJ7N65E的尺寸為5mmx6mm，占板空間和高度只有TO-252(DPAK)封裝器件的一半。而且，與無引線DFN封裝的MOSFET相比，在整機設(shè)備的使用壽命內(nèi)碰到溫度循環(huán)情況時，PowerPAKSO-8L的鷗翼引線結(jié)構(gòu)能有效提高板級的可靠性。

　　SiHJ8N60E、SiHJ6N65E和SiHJ7N65E使用Vishay最新的高能效E系列超級結(jié)技術(shù)制造，在10V下的最大導(dǎo)通電阻只有0.52Ω，柵極電荷低至17nC，導(dǎo)通電阻與柵極電荷乘積更低，該參數(shù)是評價功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中MOSFET的優(yōu)值系數(shù)。在功率因數(shù)校正、反激、雙管正激轉(zhuǎn)換器，以及HID和LED照明、工業(yè)、電信、消費和計算類應(yīng)用的電源適配器等硬開關(guān)拓撲中，這些參數(shù)意味著MOSFET能實現(xiàn)極低的傳導(dǎo)和開關(guān)損耗，有效節(jié)約能源。

　　MOSFET可承受雪崩和換相模式中的高能脈沖，保證限值通過100%的UIS測試。