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上海芯元基開發半導體新器件獲里程碑式突破

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2016-08-30 作者: 來源:中國半導體照明網 瀏覽量: 網友評論: 0

摘要: 上海芯元基采用先進的晶元級封裝技術,結合具有自主知識產權的復合圖形襯底(DPSS)以及化學剝離和晶元級芯片轉移技術,開發出了一種鍵合在玻璃基板上的薄膜倒裝結構器件(TFFCOG)。

  上海芯元基采用先進的晶元級封裝技術,結合具有自主知識產權的復合圖形襯底(DPSS)以及化學剝離和晶元級芯片轉移技術,開發出了一種鍵合在玻璃基板上的薄膜倒裝結構器件(TFFCOG)。該器件的結構如附圖所示自上而下為:薄膜倒裝芯片、玻璃襯底,器件的四周除出光面之外都具有反射腔結構,形成帶反射腔的封裝器件。

  器件具有以下優勢:1、采用反射鏡的腔體結構,使整個器件的光由單一方向出射,極大的提高了光的出射密度;2、采用容易加工出光結構的透明玻璃基板作為出光通道,采用金屬電極做為散熱通道,提高了器件的發光效率和穩定性;3、采用晶元級封裝技術,器件的最終尺寸與芯片的尺寸相當;4、不需要進行常規封裝,可降低成本三分之一以上。

  上海芯元基的化學剝離襯底技術和晶元級芯片轉移技術是制造Micro LED Display的核心技術,不僅可用運于半導體照明產業,同樣可用運于半導體功率電子器件,對發展我國第三代半導體材料技術意義重大,目前已經完成了相關專利的全球布局及商標注冊,預計2017年初可實現量產。

  附圖:

  

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