LED已經(jīng)不單單滿足于通用照明市場(chǎng)的份額，隨著下游對(duì)一些特殊細(xì)分應(yīng)用市場(chǎng)的關(guān)注度提升，部分LED芯片廠商開(kāi)始針對(duì)紫外、紅外等領(lǐng)域市場(chǎng)布局，并持續(xù)推陳出新。也正因?yàn)榇耍⒗≡u(píng)測(cè)室接下來(lái)將開(kāi)始把更多目光投向這一新興應(yīng)用領(lǐng)域，并針對(duì)開(kāi)發(fā)應(yīng)用產(chǎn)品推出更多系列評(píng)測(cè)。

　　晶元光電持續(xù)熱推的型號(hào)ES-SASFPN42D紅外芯片產(chǎn)品，曾“創(chuàng)下全世界發(fā)光效率最高的實(shí)驗(yàn)室紀(jì)錄”而引發(fā)關(guān)注，最近我們拿到20個(gè)該型號(hào)樣品，為一探究竟，我們將樣品納入這一期的測(cè)試與評(píng)估。并特別邀請(qǐng)佛山市香港科技大學(xué)LED-FPD工程技術(shù)研究開(kāi)發(fā)中心作為第三方檢測(cè)機(jī)構(gòu)對(duì)樣品參數(shù)和性能進(jìn)行檢測(cè)。

　　樣品初始為紅外芯片裸晶狀態(tài)，尺寸42 mil X42 mil，厚度 6.7mil，為垂直結(jié)構(gòu)芯片，上表面焊點(diǎn)及下表面均為鍍金，如圖1所示。

　　圖1 芯片外觀

　　此次實(shí)驗(yàn)室評(píng)測(cè)是基于將該款芯片封裝到 5050 支架上進(jìn)行性能測(cè)試，可以看到如圖2所示。

　　圖2 芯片封裝于 5050 支架

　　基本光色電性能

　　首先，利用遠(yuǎn)方光譜分析系統(tǒng)及 0.3m 積分球(圖 3),并隨機(jī)抽取5顆樣品對(duì)該款樣品進(jìn)行了光色電參數(shù)基本測(cè)試，其測(cè)試結(jié)果如表 1 所示。

　　圖3 遠(yuǎn)方光譜分析系統(tǒng)及 0.3m 積分球

　　表1 基本光色電參數(shù)(@ 350mA)

　　隨機(jī)選取的5顆樣品在350mA電流狀態(tài)下，輸出的平均輻射功率為 316.4mW，電光轉(zhuǎn)換效率為 61.00%，平均峰值波長(zhǎng)為 858.9 nm，半波寬為35.5nm。

　　依據(jù)以往測(cè)試結(jié)果和經(jīng)驗(yàn)來(lái)看，同樣操作條件下，一般紅外芯片電光轉(zhuǎn)換效果大概維持在50%左右，差不多高出約11%，也就是說(shuō)，消耗同等電功率的情況下，可以提供較傳統(tǒng)芯片更高的亮度輸出。在一些高紅外照度需求的行業(yè)，這在一定程度上可以為創(chuàng)造更高效率的紅外照明解決方案提供基礎(chǔ)。

　　在表現(xiàn)LED光譜能量分布時(shí)我們常以峰值波長(zhǎng)和光譜半波寬來(lái)作為重要參照。一般由GaAs材料制得的紅外LED在波長(zhǎng)分布上明顯要比其他化合物種類、結(jié)構(gòu)制成的LED要寬，樣品測(cè)得平均峰值波長(zhǎng)858.9nm，一般認(rèn)為，850-950nm范圍已經(jīng)屬于長(zhǎng)波長(zhǎng)紅外光，與此前一直在受波長(zhǎng)寬幅掣肘的傳統(tǒng)紅外芯片對(duì)比來(lái)看，確實(shí)有不小的進(jìn)步。從峰值波長(zhǎng)曲線對(duì)應(yīng)的半波寬平均值為35.5nm，可以看出光譜寬度還是比較窄的，說(shuō)明在發(fā)光顏色上比較鮮明純凈，十分清晰。