Micro LED關鍵技術發展方向分析
2017-01-22
作者：
來源：LEDinside
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摘要： 據最新報告1Q17 Micro LED次世代顯示技術市場會員報告顯示，Micro LED關鍵技術發展方向涵蓋四大面向，包含磊晶與芯片技術、轉移技術、鍵結技術（Bonding）、彩色化方案等。
據最新報告1Q17 Micro LED次世代顯示技術市場會員報告顯示，Micro LED關鍵技術發展方向涵蓋四大面向，包含磊晶與芯片技術、轉移技術、鍵結技術(Bonding)、彩色化方案等。
轉移技術
以物理性的抓取為例，LuxVue采取透過靜電力吸附微小組件的方式。而化學性的抓取以X-Celeprint為代表，利用Elastomer Stamp為介質，并且利用凡德瓦力來做抓取。除此之外，還有許多廠商各自開發許多種抓取方式。
薄膜轉移的另一項核心技術在于如何去選擇想要抓取的微米等級的薄膜磊晶，例如多數采用抓取力量的大小來控制想要選取的目標，例如前述提到的透過靜電力，或是凡德瓦力，并針對想要特定抓取的目標施予不同程度的能量來做選擇。除此之外，SONY也利用雷射燒灼的方式，來選取特定的目標目標。
最后，一般用于封裝前將LED芯片內部電路用金線與基板做連接與電路導通。但是由于Micro LED的芯片過于微小，已經沒有辦法用一般的金屬打線方式來與基板結合，因此需要用其他的方式來與基板做集合。因此未來的技術發展重點在于拿何種材料來進行接合與轉移。
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