項目名稱：

高光效LED芯片

申報單位：

華燦光電股份有限公司

綜合介紹或申報理由：

本項目高光效芯片技術有特色，產品有優勢，專家認為“整體達到國際先進、部分國際領先”。申請發明專利122項，其中授權美國專利2項、中國專利30多項。以高壓、倒裝和小間距顯示屏為代表先進芯片制造技術已產業化，市場占有率超30%。本項目技術三年累計產出13.76億元，利潤3.40億元，創匯2000萬美元，技術在多家公司推廣，產品應用于國內外幾十家著名公司間接效益巨大，節能減排效益顯著，社會效益重大。高光效LED芯片廣泛應用于半導體照明和高鐵站信息屏及央視春晚舞臺顯示等。

主要技術參數：

1、倒裝結構解決藍寶石散熱不良導致芯片功率降低難題，采用布拉格反射鏡提高出光率；垂直結構克服橫向電流局部阻塞，改善載流子輸運，提高光效；40x40 mil2倒裝芯片@35A/cm2白光光效172.7 lm/W，超同期國際主流產品技術指標。

2、精制新型緩沖層減少晶格失配，降低外延層缺陷密度，減少非輻射復合中心；創新阻擋層減小電子溢流，改善載流子注入不平衡；創新的多量子阱有源區設計，使內量子效率從70%提升到90% 以上。 3、高壓芯片白光光效169.14lm/W @35A/cm2優于國際主流產品，提高高壓轉換器效率，節約照明系統成本30%。開發AlN緩沖層PVD沉積技術，MOCVD外延生長時間大幅縮短，生產效率提升30%。

技術及工藝創新要點：

1、倒裝結構與垂直結構GaN-LED芯片及其制備技術

2、發明類超晶格緩沖層、組分漸變電子阻擋層和多量子阱結構有源區及其制備技術，提高內量子效率。

3、發明側向光子晶體和復合透明導電膜等界面修飾集成制備技術，減少光子界面損耗，提高外量子效率；優化制備圖形化襯底和DBR反光層，芯片出光效率提升30%；研發的小間距顯示屏專用芯片，小電流下一致性好，滿足低亮、高灰度下的高品質顯示要求。

4、創新高深寬比高壓LED芯片設計，隔離槽刻蝕等關鍵制備技術取得突破。

實際運用案例和用戶評價意見：

如圖

獲獎、專利情況：

發明新專利

申報單位介紹：

華燦光電股份有限公司的前身是武漢華燦光電有限公司，創立于2005年，2011年整體改制為股份有限公司。華燦光電是國內領先的LED（Light Emitting Diode，發光二極管）芯片供應商。 作為“新材料、新能源”領域的高新技術企業，我們致力于研發、生產、銷售全色系產品為主的高質量LED外延材料與芯片。我們擁有國際領先的技術研發能力和成熟的生產工藝，基于客戶的需求持續創新。目前，我們服務于全國的客戶，產品已經成功地應用于國內多個重點項目。 公司成立八年以來，我們從基礎設施建設和基礎性研發起步，凝聚人才，引進設備，研發新品并量產，建設質量管理體系，開拓市場，和客戶及供應商建立合作伙伴關系。我們腳踏實地，又積極進取，迅速確立了技術和品質領先的行業地位。 公司將持續擴大投資，繼續引進國際先進設備，擴大生產規模，占領市場競爭的優勢地位。

產品圖片：