TDI用HVPE法制造出高品質InGaN
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上傳人：未知 上傳時間： 2007-09-03 瀏覽次數： 50 |
在8月22日-24日舉行的第四屆中國(上海)國際半導體照明論壇及展覽會上，TDI公司展示了其成果。盡管作為原理認證結構，展出的LED現在只工作在µW功率級，但可發出450-490nm的藍光， 發出的綠光波長則在490-510nm之間。TDI斷言在材料品質與HVPE潛在經濟性結合基礎上取得的進步將產生出非常有吸引力的產品。
TDI高級生長專家Alexander Syrkin稱如果大規模、長期運轉，HVPE將證明其是一個更經濟的方法。利用其他方法(如MOCVD)生長厚膜基礎層是不現實的，因為你需要花10-20小時才能生長出10-20微米的厚膜，而使用HVPE則只需10分鐘。Syrkin告訴compoundsemiconductor.net，TDI正在努力將最近的成果轉化為商品，盡管目前還未決定可能采取的步驟，至少TDI將繼續基于其LED技術開發材料。在制備黃光及可能的紅光LED以前，TDI正在增加InGaN在LED結構中的比例。
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