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電源轉(zhuǎn)換之電磁兼容性(EMC)

上傳人:admin

上傳時(shí)間: 2007-02-08

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編者按:電磁兼容性(EMC)在過去十年已成為非常通曉的名詞。在90年代,歐洲要求銷售于其地區(qū)的產(chǎn)品,必須降低輻射干擾及傳導(dǎo)干擾。因此,現(xiàn)在產(chǎn)品在設(shè)計(jì)階段,就會(huì)考慮到如何通過電磁兼容性的測(cè)試。
 但是什么是EMC? EMC指裝置、產(chǎn)品和系統(tǒng)在給予的電磁條件下,正常工作且不會(huì)降低效能和成為干擾源的能力。有某些團(tuán)體如IEC及CISPR專門制定EMC標(biāo)準(zhǔn),給予人遵循之依據(jù)。

 本文會(huì)提到EMC對(duì)輻射干擾及傳導(dǎo)干擾之規(guī)范,包括共模雜訊及差模雜訊。如何利用主電源濾波器來克服此兩種雜訊,亦將有例子說明。這些雜訊可能存在于電力線,也可能由內(nèi)部開關(guān)元件產(chǎn)生。

EMC規(guī)范

 我們必須了解EMC規(guī)范,才可設(shè)計(jì)符合EMC的產(chǎn)品。在北美及歐洲,不特別要求電源模塊必須符合規(guī)定,但是電源系統(tǒng)要符合其規(guī)范。

 國(guó)際電子技術(shù)委員會(huì)(Internal Electrotechnical Commission – IEC)負(fù)責(zé)制定歐洲的規(guī)范。CISPR(Comite International Special des Perturbations Radioelectriques)國(guó)際無線電干擾特別委員會(huì)之CISPR22 定義最嚴(yán)格的輻射干擾限制,EN55022(圖1)及EN55011(圖2)說明這些限制。而在圖1及圖2的class A及Class B是分別針對(duì)于工業(yè)及本國(guó)產(chǎn)品的要求。依照偵測(cè)雜訊天線形式的不同,歐洲有兩個(gè)上限。其中準(zhǔn)峰值天線(Quasi-peak)的上限準(zhǔn)位較高,而均值天線則是較低值的上限準(zhǔn)位,但是每一裝置都必須通過此兩種測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)才得以符合規(guī)定。

 北美使用FCC標(biāo)準(zhǔn),類似于歐洲的EN要求,兩個(gè)量測(cè)電源供應(yīng)器的標(biāo)準(zhǔn)為EN55011及EN55022。圖3及圖4分別表示EN55011及FCC part15 subpartB (北美)輻射干擾準(zhǔn)位。

 在北美,根據(jù)FCC規(guī)定,輻射電磁干擾最常量測(cè)的頻率范圍從30MHz至10GHz,而傳導(dǎo)干擾最常量測(cè)的頻率范圍從幾KHz至30MHz。

圖1:EN 55022 傳導(dǎo)干擾準(zhǔn)位



圖2:EN 55011/FCC Part15 Subpart B 傳導(dǎo)干擾準(zhǔn)位。2004年5月23日后,F(xiàn)CC Part15 Subpart B 與EN55011的傳導(dǎo)干擾準(zhǔn)位一致。



圖3:EN 55011 輻射干擾準(zhǔn)位



圖4:FCC Part 15 Subpart B 輻射干擾準(zhǔn)位



共模雜訊(Common mode)及差模雜訊(Differential mode)

 兩個(gè)主要雜訊來源:一為共模雜訊,一為差模雜訊。共模雜訊(見圖5)來自共模電流。在單相電力系統(tǒng)應(yīng)用中,其能量對(duì)兩條電力線是共同的,能量在導(dǎo)在線傳導(dǎo)為同向,以地為參考點(diǎn)。因?yàn)樵谕粫r(shí)間,在兩條電力在線有一樣的能量大小,而無法用任何元件跨在這兩條電力線間來作衰減。共模電流產(chǎn)生的共模雜訊,永遠(yuǎn)存在于進(jìn)入設(shè)備的電源在線。因此我們可在原型機(jī)種設(shè)計(jì)階段,于測(cè)試是否符合EMC前,量測(cè)電源線以盡量降低電流。因?yàn)樵诖蟛糠萸闆r,共模電流無法接受,則輻射干擾測(cè)試亦將失敗。共模電流可使用250MHz頻率范圍的高頻電流探棒及頻譜分析儀來量測(cè)。

圖5:共模雜訊



 差模雜訊(見圖6)與共模雜訊相反。其產(chǎn)生是由于電流進(jìn)入火線(Line)而由中性線(Neutral)流出,反之亦然。

 圖7為一個(gè)單相AC電源濾波器范例,此濾波器普遍用于降低進(jìn)出電源供應(yīng)器的共模雜訊及差模雜訊。我們把圖7濾波器分成幾個(gè)方塊來幫助說明所有的功能。方塊A及B有同樣功能,但一是為了輸入雜訊,一為了輸出雜訊。

附注 : Section A 及Section B兩方塊進(jìn)行同一作用。不同的是一為防止雜訊進(jìn)入設(shè)備,而另一為防止雜訊離開此設(shè)備。

圖6:差模雜訊



圖7:AC電源線主濾波器



方塊介紹



■Section A:

 電感L1/L2及電容C1形成一個(gè)差模濾波器,防止雜訊進(jìn)入電源供應(yīng)器。差模雜訊的產(chǎn)生,是由于電流流入火線(或中性線)而由中性線(或火線)流出。L1及C1或L2及C1構(gòu)成一個(gè)分壓電路,針對(duì)于雜訊的頻率,電容器為低阻抗(高負(fù)載) ,因此可降低電力線雜訊。舉例說明,在某一特定頻率,L1的阻抗10K,而C1的阻抗1K,雜訊通過濾波器強(qiáng)度只剩下原本十分之一或減少20dB。

■Section B:

 電容C2和C3形成一個(gè)對(duì)地的共模濾波器,共模雜訊是一流經(jīng)火線(Line)及中性線(Neutral)導(dǎo)線,而藉安全接地流回的同相電流,因而產(chǎn)生火線(Line)或中性線(Neutral)對(duì)地電壓,C2、C3、C4及C5等容值,任何在這些導(dǎo)線之共模雜訊皆將被引導(dǎo)到地。

附注 :醫(yī)療設(shè)備因漏電流關(guān)系不采用Section B的電路。

■Section C:

 圖7 Section C為無參考點(diǎn)之Zorro電感(共模電感)。利用繞線圈方向使其產(chǎn)生之電流互為反向,因此任何雜訊可互相抵消。因共模電流產(chǎn)生之磁通是累積的,產(chǎn)生阻抗,可減低在線雜訊。但差模電流流向相反,因差模電流產(chǎn)生之磁通會(huì)相互抵消,因此其阻抗不會(huì)發(fā)生任何影響。

 附注:電容C1和C6為X電容用于減低差模雜訊,且能耐主電壓. X電容容值。通常從0.1uF至2uF. C2至C5電容為Y電容,用于對(duì)付共模雜訊且不因損壞后而變短路。(因此比X電容貴,Y電容值較小通常在0.02uF至0.1uF之間。)

AC電源線濾波器之設(shè)計(jì)范例 (返馳式交流轉(zhuǎn)直流轉(zhuǎn)換器)

■設(shè)計(jì)要求:

變壓器圈數(shù)比=10

輸出阻抗(Zs)=10Ω (負(fù)載阻抗,最大輸出功率之最惡劣條件)

雜訊降低要求20KHz = 35dB

為未知之頻率突波預(yù)留之額外空間=6dB

交流頻率(F1)=60Hz

開關(guān)頻率(Fs)=100KHz

 首先要知道輸出負(fù)載阻抗,以決定濾波器的值。由輸出阻抗,根據(jù)等式1導(dǎo)出一次側(cè)的阻抗。

Zp:=a2·Zs─(等式1)

Zp:=1×103

Zp =一次側(cè)阻抗

Zs =二次側(cè)阻抗

a =變壓器圈數(shù)比

 在輸入端,濾波器設(shè)計(jì)了使輸入端與負(fù)載端通透,其截止頻率要十倍于輸入的電源頻率,也就是說不可以小于600Hz。若要求在20KHz頻率,雜訊減少41Db(35dB加上6dB的預(yù)留空間)。設(shè)計(jì)工程師可以把20KHz除2,而相對(duì)應(yīng)的dB值為41dB減掉12dB (如表格1所示)。開始先采用單電感來看是否達(dá)到我們的要求。如果不能,就需要串聯(lián)第二個(gè)電感。單電感設(shè)計(jì)可讓每八度降12dB或每十倍頻率降40dB。如表1所示,單一電感即足以達(dá)到我們的要求。截止頻率為1.25KHz(大于600Hz底限)。



 若已知截止頻率,可由等式2得出電感值。

L = Zp/(2π·Fo)─(等式2)

L = 0.127H

 其中

L = 差動(dòng)電感

Zp = 一次側(cè)阻抗(從二次側(cè)反射過來)

Fo = 表格1之截止頻率

 由等式3,則可以決定差動(dòng)電容的值,來完成Section A差模濾波器的設(shè)計(jì)。

Zp = (L/Cd)1/2 ─(等式3)

Cd=6.366×10-9 F

 其中

L =差動(dòng)電感

Zp =一次側(cè)阻抗(從二次側(cè)反射過來)

 為了平衡濾波,在line及neutral即火線及中性在線各有一個(gè)電感。如此,我們可把求出的值除以2,得到64mH。若感值太大,可使用二顆電感來設(shè)計(jì)以降低電感尺寸。而使用多電感設(shè)計(jì)不但可降低電感的尺寸,并因Q值變小,振蕩的機(jī)會(huì)也會(huì)變小。

表格2顯示在濾波器中多加一顆電感,讓每八度下降24dB,利用等式4及5導(dǎo)出新的感值及容值。

Lnew = Zp/(2π·Fnew )─(等式4)

Lnew =0.032H

 其中

Lnew =新差動(dòng)電感.

Zp =一次側(cè)阻抗(從二次側(cè)反射過來)

Fnew =表格2截止頻率

 再一次,為了平衡濾波,導(dǎo)出之感值除以2,得到16mH。



Cdnew =Lnew /Zp2 ─(等式5)

Cdnew =3.183×10-8F

 其中

Lnew = 新的差動(dòng)電感.

Zp =一次側(cè)阻抗(從二次側(cè)反射過來)

 現(xiàn)在剩下共模Zorro電感的值要求,方法如同上感值求法,除了把截止頻率由Fo改為PWM開關(guān)頻率及相同的衰喊dB值,同差模濾波需二個(gè)電感,二個(gè)Zorro電感也需使用于共模濾波器上。

 利用等式6及7,可求出Zorro電感(Lzooro)及Zorro電容值。

Lzooro = Zp/(2π·Foz)─(等式6)

Lzooro = 6.366×10-3 H

 其中

Lzooro =共模電感

Zp =一次側(cè)阻抗(從二次側(cè)反射回來)

Foz=表2截止頻率

Czooro =Lzooro/Zp2 ─(等式7)

Czooro=6.366×10-9 F

 其中

Lzooro =共模電感

Zp =一次側(cè)阻抗(從二次側(cè)反射過來)

 最后設(shè)計(jì)如圖8

圖8:完成之濾波器



 如在高頻雜訊有問題,可加一個(gè)鐵粉芯(鐵粉芯在低頻時(shí),可視為一電阻(50至200Ω),在高頻(30MHz)時(shí)則為電感)。如果在差模方面有問題時(shí),增加一些Lnew 感值,或使用質(zhì)量較好的Cdnew電容,因?yàn)橛锌赡茉谟袉栴}的頻率上有太大的漏電流。若為了對(duì)抗共模雜訊問題,則是增加Lzooro感值。

如何降低電源轉(zhuǎn)換時(shí)內(nèi)外部雜訊

 在交流轉(zhuǎn)直流之電源供應(yīng)器上有3個(gè)產(chǎn)生雜訊的區(qū)域:

 1.在進(jìn)入電源供應(yīng)器的主電源,永遠(yuǎn)存在著雜訊(共模及差模)

 2.電源供應(yīng)器的開關(guān)頻率(共模雜訊)

 3.快速開關(guān)時(shí)的上升及下降緣及MOSFET關(guān)閉時(shí)所產(chǎn)生的ring

■AC主電源

 對(duì)雜訊比較大的主電源線,用AC電源濾波器。此濾波器要盡量靠近AC電源線,進(jìn)入PCB板的位置,見圖9。且下地要離一次側(cè)的大地愈近愈好,并盡量多打貫孔(VIA)。要減少共模及差模雜訊進(jìn)出設(shè)計(jì)之單體,需要使用AC電源線濾波器。

圖9:共模濾波器之連接到接地平面



■電源供應(yīng)器的開關(guān)頻率

 像系統(tǒng)時(shí)鐘,許多電源供應(yīng)器有脈寬調(diào)節(jié)元件(PWM),用一個(gè)頻率切換來控制輸出電壓。因此如系統(tǒng)時(shí)鐘,需小心其布局,PWM控制器也要小心考慮其布局。

 在返馳式,順向式或用其它架構(gòu)設(shè)計(jì)變壓器,要確定從一次側(cè)的線圈繞組到主開關(guān)MOSFET(無論外置或內(nèi)置)的泄極(Drain)的走線要盡可能粗且短,見圖10。這可降低走在線的電感,來使ringing最小。而對(duì)MOSFET及PWM控制器而言,則需要足夠的接地孔及接地,需有與走線平行的地,來充當(dāng)電流回路(如雜散電容不會(huì)有問題)。如果仍有問題存在,可如圖10般,移除位于MOSFET到變壓器走線下的地,使MOSFET泄極之電容達(dá)到最小。當(dāng)MOSFET開關(guān)時(shí),電流流經(jīng)地對(duì)其雜散電容充放電,若圖10斜線部分之接地平面未移除時(shí),額外之電流將流經(jīng)地造成更多的共模傳導(dǎo)雜訊。

圖10:如何減少M(fèi)OSFET泄極端之雜散電容



 做為開開模式的MOSFET之源極,必須確實(shí)連接到一次側(cè)的接近平面。要達(dá)到此目標(biāo),可使用大的源極終端平面,以可容納足夠的接地孔。(取決工作電流大小)以連接到接地平面。如圖11。

圖11:利用足夠大的接地平面及足夠數(shù)目的貫孔連接內(nèi)建MOSFET的源極



■快速開關(guān)時(shí)的上升、下降緣及Ringing

 圖12所示為電阻、電容及二極管(RDC)線路(R1,C1及D1)。其目的有二:首先,C1可減緩當(dāng)Q1關(guān)閉時(shí)泄極電壓的爬升速度(平緩以減低輻射電磁干擾)。其次,可保持輸入電壓在2Vcc以下而不會(huì)超過MOSFET的崩潰電壓。選擇夠大的C1電容,使泄極上升電壓及下降電流交點(diǎn),降低使晶體的熱消耗大大減少。R2及C2線路對(duì)減少當(dāng)MOSFET回到輸入電壓準(zhǔn)位時(shí),所產(chǎn)生的一次側(cè)ringing也很重要。如圖13及圖14所示。

圖12:RCD Snubber及RC ringing電路



 由以下步驟來決定C2及R2的值:

1.根據(jù)ringing的頻率來決定周期

2.由步驟1之周期乘以5

3.設(shè)定電阻值(通常低于100)

4.步驟3之得值除以步驟2之得值

圖13:無R2,C2之一次側(cè)電壓波形



圖14:加R2,C2 之一次側(cè)電壓波形



 附注:C2及R2電路之好處為可降低如圖11之ringing。但壞處為高頻紋波流經(jīng)C2在R2產(chǎn)生熱消耗,若減低雜訊重于效率,則此線路可減少雜訊,但也減低效率。


印刷電路板之準(zhǔn)則:

1.正確適當(dāng)擺放零件之位置及方向

2.若使用散熱片,確實(shí)接地

3.必要時(shí)需隔離零件

4.共模電容應(yīng)選用低等效電阻(ESR)且維持短的接地接

5.若使用跨在變壓器之Snubber電路,以減緩MOSFET在關(guān)閉時(shí)之電壓上升速度時(shí),確定到MOSFET及變壓器的走線要短。如可以,把Snubber電路置于電壓器二之間。

6.避免在電源平面與接地平面間有狹槽

7.在50MHz頻率以下,傳去耦合方法是有效的。使用一至二顆去耦合電容(通常為0.1或0.01uF)置于靠近IC電源及接地腳位,必須考慮到IC及電容間所形成之回路面積要最小。

8.接地要夠短、夠厚及夠大

9.避免走線或平面有銳角

10.把會(huì)產(chǎn)生雜訊的零件放在一起,若要屏壁時(shí),可較容易達(dá)到

11.若有可能時(shí),使用多層印刷電路板

處理醫(yī)療設(shè)備的安全性

 共模雜訊對(duì)較靈敏的設(shè)備,例如醫(yī)療設(shè)備是一個(gè)問題。若儀器會(huì)與病人接觸,則漏電流必須限制在100uA以下。這意謂著,大部分的電源供應(yīng)器的設(shè)計(jì)工程師,會(huì)限制漏電流在20u 到40uA之間。為了達(dá)到此以嚴(yán)苛要求,不會(huì)使用接到地的共模濾波電容,而是使共模電感及feed through電容(高頻雜訊被導(dǎo)引到機(jī)殼的地而不是信號(hào)地),及增加一個(gè)變壓器或隔離進(jìn)入電源供應(yīng)器的電力線,以降低共模傳導(dǎo)干擾脈沖。安規(guī):IEC950/UL1950 Class II即用于規(guī)范醫(yī)療設(shè)備。

結(jié)論

 目前EMC是設(shè)計(jì)系統(tǒng)的一個(gè)重要階段,而未來會(huì)更加嚴(yán)格。我們必須注意到當(dāng)開關(guān)動(dòng)作發(fā)生時(shí),無論輻射或傳導(dǎo)雜訊也跟著發(fā)生。本文提到的為關(guān)于PCB板層級(jí)設(shè)計(jì)時(shí)之技術(shù),如果要降低更多輻射方面的雜訊時(shí),使用導(dǎo)電性材質(zhì)的封閉外殼,來阻絕輻射源亦為另一種方式。但天下沒有白吃的午餐,為符合規(guī)范及安全規(guī)定增加成本是不可避免的。
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